據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子近期具體化了背面供電技術(shù)的商用時(shí)間表。三星電子代工部門首席技術(shù)官（CTO）Gitae Jeong在最近的一次論壇上表示，“我們計(jì)劃在2027年將BSPDN應(yīng)用到1.4nm工藝中。”

背部供電（BSPDN）技術(shù)是一項(xiàng)應(yīng)用于先進(jìn)半導(dǎo)體的創(chuàng)新技術(shù)，旨在更好地挖掘晶圓背面空間的潛力，但至今仍未在全球范圍內(nèi)實(shí)施。這也是三星電子首次披露其 BSPDN 開發(fā)進(jìn)程。

雖然目前半導(dǎo)體行業(yè)已不再使用柵極長度和金屬半節(jié)距來為技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行系統(tǒng)命名，但毫無疑問目前的工藝技術(shù)也是數(shù)字越小越先進(jìn)。

隨著半導(dǎo)體工藝微縮路線不斷地向前發(fā)展，集成電路內(nèi)電路與電路間的距離也不斷縮窄，從而對(duì)彼此產(chǎn)生干擾，而 BSPDN 技術(shù)則可以克服這一限制，這是因?yàn)槲覀兛梢岳镁A背面來構(gòu)建供電路線，以分隔電路和電源空間。

三星電子公開其背面供電計(jì)劃后，代工行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈，各家企業(yè)爭(zhēng)奪技術(shù)領(lǐng)先地位。目前，三家公司占據(jù)主導(dǎo)地位。英特爾被認(rèn)為是背面供電技術(shù)最先進(jìn)的公司，計(jì)劃2024年通過應(yīng)用該技術(shù)來量產(chǎn)半導(dǎo)體，用于Intel 20A（2nm級(jí)）工藝。英特爾還創(chuàng)建了自己的技術(shù)品牌“Powervia”，以強(qiáng)調(diào)背面供電技術(shù)的優(yōu)越性。臺(tái)積電也計(jì)劃在2nm以下工藝中應(yīng)用該技術(shù)，目標(biāo)預(yù)計(jì)在2026年之前實(shí)現(xiàn)。