根據(jù)11月24日的消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應(yīng)用市場(chǎng)的持續(xù)強(qiáng)勁需求，2023年第4季度DRAM和NAND閃存的價(jià)格正在全面上漲，并有望延續(xù)至明年第1季度。

預(yù)計(jì)2023年第4季度移動(dòng)DRAM的合約價(jià)格將上漲13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash的合約價(jià)格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢(shì)預(yù)計(jì)將持續(xù)至2024年第1季度。

2024年手機(jī)市場(chǎng)的一個(gè)顯著變化是終端人工智能的興起，包括驍龍8 Gen 3、天璣9300和Exynos 2400等各種芯片組，都將加入人工智能元素。

據(jù)行業(yè)專家預(yù)測(cè)，DDR5市場(chǎng)的需求將在價(jià)格下降和公司盈利能力持續(xù)提高的推動(dòng)下，大幅增長(zhǎng)。

作為一種高附加值的DRAM，DDR5仍然受到各大廠商的青睞。美光最近宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速度高達(dá)7200 MT/s，標(biāo)志著其向數(shù)據(jù)中心和PC市場(chǎng)的轉(zhuǎn)型。

類似于DDR5，HBM作為一種高附加值的DRAM在今年備受關(guān)注。在人工智能趨勢(shì)的推動(dòng)下，HBM市場(chǎng)的需求激增，各供應(yīng)商正在不斷擴(kuò)大其產(chǎn)能。

美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra透露，該公司計(jì)劃在2024年初開(kāi)始大量出貨HBM3E。

總結(jié)，DRAM和NAND閃存的價(jià)格正在全面上漲，終端人工智能正成為手機(jī)市場(chǎng)的一個(gè)重要變化，DDR5市場(chǎng)需求將大幅增長(zhǎng)，而HBM市場(chǎng)需求亦在日益增長(zhǎng)，供應(yīng)商正加大其產(chǎn)能以滿足市場(chǎng)需求。