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納芯微NSI8242W0-DSWR數字隔離器工作原理和優缺點
NSI8242W0-DSWR是高可靠性的四通道數字隔離器。此系列產品已通過UL1577安全認證，支持多種絕緣耐壓（3kVrms, 3.75kVrms, 5kVrms, 8kVrms），同時具有低功耗，高電磁抗擾度和低輻射的特性。產品的數據速率高達150Mbps，共模瞬變抗擾度（CMTI）高達200kV/us。在輸入缺失時默認輸出電平配置，且提供數字通道方向配置。 此系列器件的寬電源電壓范圍支持其與大多數數字接口直接連接，易于進行電平轉換。優異的系統級別EMC性能提高了使用的可靠性和穩定性。
產品特性
?隔離耐壓3000Vrms, 3750Vrms, 5000Vrms, 8000Vrms
?VDE增強型隔離認證
?數據速率DC至150Mbps
?高CMTI:200kV/μs
?芯片級ESD: HBM: ±8kV
?增強的系統級ESD 、EFT、抗浪涌能力
?隔離柵壽命：>60年
?低傳播延遲典型值<15ns
?低功耗: 1.5mA/ch (1 Mbps)
?工作溫度：-55~125℃
?符合RoHS的封裝：SOP16
應用場景
?工業自動化系統
?隔離SPI, RS232, RS485
?通用多通道隔離
?電機控制
安全認證
? UL1577認證: 1分鐘 3kVrms/3.75kVrms/5kVrms/8kVrms
? CQC認證：符合GB4943.1-2011
? CSA認證：組件符合5A
? VDE認證：DIN V VDE V 0884-11:2017-1
功能框圖
典型應用電路圖
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Nexperia安世針對工業和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
結合銅夾片封裝和寬禁帶半導體的優勢奈梅亨，2023年12月11日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCPAK1212i頂部散熱封裝技術，開創了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相結合的新時代。這項技術為太陽能和家用熱泵等可再生能源應用帶來諸多優勢，進一步加強了Nexperia為可持續應用開發前沿器件技術的承諾。該技術還適用于廣泛的工業應用，如伺服驅動器、開關模式電源(SMPS)、服務器和電信應用。Nexperia的創新型CCPAK封裝采用了Nexperia成熟的銅夾片封裝技術，無需內部焊線，從而可以減少寄生損耗，優化電氣和熱性能，并提高了器件的可靠性。為了更大限度地提升設計靈活性，CCPAK GaN FET提供頂部或底部散熱配置，進一步改善散熱性能。 GAN039-650NTB的級聯配置使其能夠提供出色的開關和導通性能，此外其穩健可靠的柵極結構可提供較高的噪聲容限。這一特性還有益于簡化應用設計，無需復雜的柵極驅動器和控制電路，只需使用標準硅MOSFET驅動器即可輕松驅動這些器件。Nexperia的GaN技術提高了開關穩定性，并有助于將裸片尺寸縮小約24%。此外，器件的RDS(on)在25℃時僅為33 mΩ（典型值），同時其具有較高的門極閾值電壓和較低的等效體二極管導通壓降。Nexperia副總裁兼GaN FET業務部總經理Carlos Castro表示：“Nexperia深刻認識到，工業和可再生能源設備的設計人員需要一種高度穩健的開關解決方案，以便在進行功率轉換時實現出色的熱效率。因此Nexperia決定將其級聯GaN FET的優異開關性能與其CCPAK封裝的優越熱性能結合起來，為客戶提供杰出的解決方案。” Nexperia不斷豐富其CCPAK產品組合，目前已推出頂部散熱型33 mΩ（典型值）、650 V GAN039-650NTB，很快還將推出底部散熱型版本GAN039-650NBB，其RDS(on)與前者相同。
哦! 它是空的。