4008-622-911
納芯微NSI8231W1-DSWR數(shù)字隔離器工作原理和應(yīng)用
納芯微NSI8231W1-DSWR是高可靠性的三通道數(shù)字隔離器。此系列產(chǎn)品已通過UL1577安全認(rèn)證，支持多種絕緣耐壓（5kVrms, 5.7kVrms），同時(shí)具有低功耗，高電磁抗擾度和低輻射的特性。產(chǎn)品的數(shù)據(jù)速率高達(dá)150Mbps，共模瞬變抗擾度（CMTI）高達(dá)200kV/us。在輸入缺失時(shí)默認(rèn)輸出電平配置，且提供數(shù)字通道方向配置。 此系列器件的寬電源電壓范圍支持其與大多數(shù)數(shù)字接口直接連接，易于進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換。優(yōu)異的系統(tǒng)級(jí)別EMC性能提高了使用的可靠性和穩(wěn)定性。
產(chǎn)品特性
隔離耐壓5000Vrms, 5700Vrms
VDE增強(qiáng)型隔離認(rèn)證
數(shù)據(jù)速率DC至150Mbps
高CMTI:200kV/μs
芯片級(jí)ESD: HBM: ±8kV
增強(qiáng)的系統(tǒng)級(jí)ESD 、EFT、抗浪涌能力
隔離柵壽命：>60年
低傳播延遲典型值<15ns
低功耗: 1.5mA/ch (1 Mbps)
工作溫度：-55~125℃
符合RoHS的封裝：SOW16, SOWW16
安全認(rèn)證
UL1577認(rèn)證: 1分鐘 5kVrms/5.7Vrms
CQC認(rèn)證：符合GB4943.1-2011
CSA認(rèn)證：組件符合5A
VDE認(rèn)證：DIN V VDE V 0884-11:2017-1
應(yīng)用場(chǎng)景
工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)
隔離SPI, RS232, RS485
通用多通道隔離
電機(jī)控制
功能框圖
典型應(yīng)用電路圖
推薦產(chǎn)品+
相關(guān)推薦
-
-
新品發(fā)布！TDK推出首款 SMD 沖擊電流限制器
TDK 株式會(huì)社開發(fā)的J404是首款基于 PTC(正溫度系數(shù))技術(shù)的表面貼裝浪涌電流限制器 (ICL)。該元件(訂貨號(hào) B59404J0170A062)專為直流電壓高達(dá) 500 V 和 交流電壓高達(dá)350 V 的應(yīng)用場(chǎng)景而設(shè)計(jì)，可用于限制電動(dòng)汽車中的直流母線和充電設(shè)備等應(yīng)用中的浪涌電流。該產(chǎn)品具有13.5 x 10 x 11 毫米(長 x 寬 x 高)非常緊湊的設(shè)計(jì)，用戶可以通過這種表面貼裝設(shè)計(jì)在 PCB 上節(jié)省高達(dá)70%的空間和重量。這些產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)在自動(dòng)化生產(chǎn)線上快速加工。因此，該新元件非常適合眾多工業(yè)和汽車應(yīng)用。該元件進(jìn)入高阻態(tài)參考溫度為+170°C，熱容量為1J/K，熱時(shí)間常數(shù)為100s。室溫下，電阻為 500 Ω，最小值為 150 Ω。 J404 可以關(guān)斷失效(短路)高達(dá) 100 次，在電容器充電和放電時(shí)高達(dá)可進(jìn)行 100,000 次循環(huán)。電動(dòng)汽車逆變器或工業(yè)應(yīng)用變速驅(qū)動(dòng)器中的直流母線大電容器在接通時(shí)會(huì)出現(xiàn)瞬時(shí)像短路一樣工作狀態(tài)。這種突然的高能量不能損壞系統(tǒng)中的其他組件，這同樣適用于出現(xiàn)失效的的情況。這時(shí)候， PTC熱敏電阻通過高電流而加熱自身并在很短的時(shí)間內(nèi)變?yōu)楦咦钁B(tài)來提供這種保護(hù)，從而將電流降低到安全水平。
-
-
SEMI：今年晶圓廠設(shè)備支出下滑15% 將于2024年改善
受到芯片需求需求減弱以及消費(fèi)和移動(dòng)設(shè)備庫存增加，SEMI國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)近日表示，預(yù)估全球晶圓廠設(shè)備支出總額將從2022年的歷史高點(diǎn)995億美元下滑15%，來到840億美元。隨后于2024年回升15%，達(dá)到970億美元。SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 表示：" 事實(shí)證明，2023 年設(shè)備投資的下降幅度較小，2024 年的反彈力度將強(qiáng)于今年早些時(shí)候的預(yù)期。"" 這一趨勢(shì)表明，半導(dǎo)體行業(yè)正在走出低迷，在健康芯片需求的推動(dòng)下，走上恢復(fù)強(qiáng)勁增長的道路。"另外，受惠于產(chǎn)業(yè)對(duì)于先進(jìn)和成熟制程節(jié)點(diǎn)的長期需求持續(xù)成長，晶圓代工產(chǎn)業(yè)2023年維持投資規(guī)模，微幅成長1%至490億美元，持續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長。而預(yù)計(jì)2024年產(chǎn)業(yè)回溫，帶動(dòng)設(shè)備采購金額擴(kuò)增至515億美元，較2023年成長5%。區(qū)域分析，中國臺(tái)灣2024年穩(wěn)坐全球晶圓廠設(shè)備支出領(lǐng)先地位，年增4%到230億美元。韓國居次，2024年達(dá)220億美元，較2023年成長41%。中國大陸2024年總支出額以200億美元排名全球第三，大陸代工業(yè)者和IDM廠商將持續(xù)以成熟制程投資布局美洲地區(qū)仍維持第四大支出地區(qū)，并創(chuàng)歷年新高，支出總額將到140億美元，年成長率達(dá)23%。歐洲和中東地區(qū)續(xù)創(chuàng)佳績，支出總額增長41.5%達(dá)80億美元。日本和東南亞地區(qū)2024年分別增長至70億和30億美元。從 2022 年到 2024 年，SEMI 世界晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，繼 2022 年增長 8% 之后，今年全球半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)能將增長 5%。預(yù)計(jì) 2024 年產(chǎn)能將繼續(xù)增長，增幅為 6%。
哦! 它是空的。