華為技術(shù)有限公司最近增加了多項專利信息，其中之一是“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制造方法、三維存儲器、電子設(shè)備”，官方號碼為cn116940110a。

根據(jù)專利摘要，該申請涉及提高三維存儲器存儲密度的半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。這個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的外部層沉積層、電容器、第一次接觸柱子及首家信號線組成，外圍堆疊層包括層疊設(shè)置的多個膜層對，膜層對第一個防止介質(zhì)層和柵極層，包括各雙膜形成多個臺階。電容器包括第一電極和第二電極。第一個接觸柱位于第一個目標(biāo)階的上端，一邊與形成第一個目標(biāo)階的膜層的柵極層電連在一起，第一個目標(biāo)階是多個階中的臨界段。第一根信號線連接到第一根接觸柱的另一端，第一根信號線被安排在柵極層傳送第一電壓信號，柵極層被安排成第一電極。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)應(yīng)用于三維存儲器，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫操作。

華為表示，隨著內(nèi)存單元特征大小接近下限，平面技術(shù)和制造技術(shù)具有挑戰(zhàn)性，成本提高，從而使2d內(nèi)存的內(nèi)存密度接近上限。為了克服2d存儲器的局限性，業(yè)界開發(fā)了三維結(jié)構(gòu)的存儲器，為了提高存儲器密度，將膜層堆疊起來，縮小了零件的尺寸。

上述三維存儲器還包括周圍電路，周圍電路和存儲單位設(shè)置在三維存儲器的不同區(qū)域。外部電路中金屬-氧化物-金屬（metal - oxide - metal，減少mom）電容器，因此，包括mom電容器的區(qū)域面積，減少儲存裝置的區(qū)域面積增加三維記憶裝置的存儲密度提高的方法在銀領(lǐng)域正在成為亟待解決的問題。