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工作原理+參數(shù)+應(yīng)用領(lǐng)域,一文搞懂ST意法STBP120AVDK6F電壓保護(hù)IC

來(lái)源:ST意法| 發(fā)布日期:2023-10-23 17:55

STBP120設(shè)備為高達(dá)+28 V的輸入電壓提供過(guò)電壓保護(hù)。根據(jù)中國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部通信標(biāo)準(zhǔn)YD/T 1591-2006,其低RDS(on)N溝道MOSFET開關(guān)可保護(hù)連接到OUT引腳的系統(tǒng)免受直流電源故障的影響。

在輸入過(guò)電壓情況下,設(shè)備通過(guò)關(guān)閉內(nèi)部低RDS(on)N溝道MOSFET立即斷開直流電源,以防止損壞受保護(hù)的系統(tǒng)。

此外,該器件還監(jiān)測(cè)其自身的結(jié)溫度,如果結(jié)溫度超過(guò)規(guī)定的極限,則關(guān)閉內(nèi)部MOSFET。

該設(shè)備可以由微控制器控制,并且還可以提供關(guān)于故障條件的狀態(tài)信息。

STBP120采用2 x 2.5mm的10-引腳TDFN微型封裝。

特性

某些過(guò)電壓選項(xiàng)符合中國(guó)通信標(biāo)準(zhǔn)YD/T 1591-2006(僅限過(guò)電壓保護(hù))

IN輸入ESD耐受電壓高達(dá)±15 kV(空氣放電),在具有1μF輸入電容器的典型應(yīng)用電路中高達(dá)±8 kV(接觸放電)(獨(dú)立設(shè)備為±2 kV HBM)

小型、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的2.5 x 2 mm TDFN–10鉛封裝。

啟用輸入(EN)

控制涌入電流的軟啟動(dòng)功能

最高28 V的輸入過(guò)電壓保護(hù)

90 mΩ的低RDS(開啟)

集成高壓N溝道MOSFET開關(guān)

熱停堆保護(hù)

故障指示輸出(FLT)

集成電荷泵

應(yīng)用

智能手機(jī)

數(shù)碼相機(jī)

PDA和掌上電腦設(shè)備

MP3播放器

低功耗手持設(shè)備

引腳

封裝

電路原理圖

典型應(yīng)用電路圖