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在近期的閃存峰會上,一家由英國蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎。他們展示了ULTRARAM,一個結(jié)合了DRAM高性能和閃存非易失性的新技術(shù),力求制造出同時替代閃存和DRAM的通用存儲。
ULTRARAM與閃存和DRAM的區(qū)別閃存和DRAM作為已經(jīng)被行業(yè)使用了數(shù)十年的存儲形式,因為其特性不同,往往只能被分別用于特定場景中。以閃存為例,其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴(kuò)展性等特點,但缺點在于需要高壓開關(guān)電路,以及相對較慢的編程/擦除。DRAM擁有極高的耐用性,操作快速,但其為易失性存儲,需要持續(xù)的電源供應(yīng),加上破壞性讀出以及容量擴(kuò)展上始終存在困難。可以看出,無論是閃存和DRAM,都逃不開能耗、性能、耐用性的二選一,所以這些年兩者始終處于一個共生的局面。而ULTRARAM作為一個通用內(nèi)存,自然是要解決閃存和DRAM之間存在的這些矛盾。與這兩者在材料層面不同的是,ULTRARAM用的是III-V族化合物半導(dǎo)體,且主要是其中6.1 ? 家族的半導(dǎo)體,比如砷化銦、碲化鎵和碲化鋁。ULTRARAM是一種基于電荷的存儲器,像NAND一樣使用浮柵結(jié)構(gòu),所以也能像其他閃存一樣,實現(xiàn)非破壞性讀出。但相較閃存和DRAM,ULTRARAM可以實現(xiàn)超長時間的存儲,這得益于其TBRT結(jié)構(gòu)。哪怕是在單bit級別也能存儲遠(yuǎn)大于十年的時間,ULTRARAM中的電荷可以存儲1000年而不會出現(xiàn)泄露。且ULTRARAM開關(guān)能耗極低,開關(guān)速度更是低于ns級。離量產(chǎn)還有多久?然而任何新的存儲形態(tài)在試圖挑戰(zhàn)閃存和DRAM之前,都必須解決制造和量產(chǎn)的問題,因為這才是決定其能否商業(yè)化的關(guān)鍵之一。常見的阻礙有,在現(xiàn)有的固態(tài)制造設(shè)備之上,是否需要尚未投入使用的材料和工具,已經(jīng)對于大部分晶圓廠來說,是否需要額外的工序。據(jù)了解Quinas Technology已經(jīng)宣布添置和購買了相關(guān)設(shè)備,用于生產(chǎn)出20nm的ULTRARAM原型產(chǎn)品,并將繼續(xù)積極推動該技術(shù)的商業(yè)化。在確定其性能達(dá)到宣傳指標(biāo),比如1000萬次重寫循環(huán)后,他們會嘗試開始小規(guī)模市場并尋找感興趣的客戶。與此同時,英國創(chuàng)新機構(gòu)也獎勵了Quinas Technology 30萬英鎊,用于推動這一技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。不過離真正的量產(chǎn)應(yīng)該還有一定的差距,其發(fā)明者及Quinas Technology CSO表示,這對于一家初創(chuàng)公司來說自然是不小的投資,但量產(chǎn)ULTRARAM的過程并非短跑,而是一場馬拉松。Quinas Technology雖然購買了相關(guān)設(shè)備,但其僅用于原型的制造和驗證,真正量產(chǎn)還是需要大型晶圓廠的支持。鑒于目前歐洲仍缺少大型的內(nèi)存制造工廠,據(jù)了解他們很可能選擇與臺積電合作,而不是與歐洲本地的IMEC等企業(yè)合作。在最終產(chǎn)品上,Quinas Technology似乎打算先面向高端市場,比如服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心級別的產(chǎn)品,畢竟消費級存儲市場仍處于一個去庫存的階段,而高性能內(nèi)存恰恰是利潤最高的。同時Quinas Technology透露,對UTRARAM感興趣的公司中包括Meta,后者對于ULTRARAM的節(jié)能特性尤其看好。寫在最后和所有新的存儲技術(shù)一樣,大規(guī)模量產(chǎn)并控制成本才是最關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。而對于ULTRARAM來說,該技術(shù)尚未到量產(chǎn)驗證階段,還在性能與指標(biāo)的驗證階段,如果原型產(chǎn)品和之后的小批量產(chǎn)品能夠與宣傳保持一致的話,相信這一技術(shù)會獲得更多公司的青睞和投資。
ULTRARAM與閃存和DRAM的區(qū)別
離量產(chǎn)還有多久?
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ADI亞德諾生產(chǎn)的ADM2587EBRWZ是具備±15 kV ESD保護(hù)功能的完全集成式隔離數(shù)據(jù)收發(fā)器,適合用于多點傳輸線路上的高速通信應(yīng)用。ADM2587EBRWZ包含一個集成式隔離DC-DC電源,不再需要外部DC/DC隔離模塊。該器件針對均衡的傳輸線路而設(shè)計,符合ANSI TIA/EIA-485-A-98和ISO 8482:1987(E)標(biāo)準(zhǔn)。它采用ADI公司的iCoupler?技術(shù),在單個封裝內(nèi)集成了一個三通道隔離器、一個三態(tài)差分線路驅(qū)動器、一個差分輸入接收器和一個isoPower DC/DC轉(zhuǎn)換器。該器件采用5V或3.3V單電源供電,從而實現(xiàn)了完全集成的信號和電源隔離RS-485解決方案。ADM2587EBRWZ驅(qū)動器帶有一個高電平有效使能電路,并且還提供一個高電平接收機有效禁用電路,可使接收機輸出進(jìn)入高阻抗?fàn)顟B(tài)。該器件具備限流和熱關(guān)斷特性,能夠防止輸出短路,并防止出現(xiàn)由于總線爭用而引起功耗過大的情況。它采用20引腳寬體SOIC封裝,其額定工作溫度范圍為工業(yè)溫度范圍。ADM2587EBRWZ集成了isoPower技術(shù),該技術(shù)采用高頻開關(guān)元件通過其變壓器傳輸電力。在PCB布局時必須特別注意滿足輻射標(biāo)準(zhǔn)。優(yōu)勢和特點隔離式RS-485/RS-422收發(fā)器,可配置為半雙工或全雙工isoPower? 集成隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器RS485輸入/輸出引腳提供±15 kV ESD保護(hù)符合ANSI/TIA/EIA RS-485-A-98和ISO 8482:1987(E)標(biāo)準(zhǔn)ADM2587E數(shù)據(jù)速率:500 kbps工作電壓:5 V或3.3V總線最多支持與256個節(jié)點連接開路和短路故障保護(hù)接收器輸入高共模瞬變抗擾度:>25 kV/μs熱關(guān)斷保護(hù)封裝:SOIC20應(yīng)用隔離式RS-485/RS-422接口工業(yè)現(xiàn)場網(wǎng)絡(luò)多點數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)引腳封裝圖方框圖
ST(意法半導(dǎo)體)生產(chǎn)的型號STM32G081RBT6屬于32位MCU微控制器,采用高性能Arm?Cortex?-M0+32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達(dá)64MHz。它們提供了高級別的集成,適用于消費者、工業(yè)和家電領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,并為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)解決方案做好了準(zhǔn)備。STM32G081RBT6包括存儲器保護(hù)單元(MPU)、高速嵌入式存儲器(36KB的SRAM和128 KB的閃存程序存儲器,具有讀保護(hù)、寫保護(hù)、專有代碼保護(hù)和安全區(qū)域)、DMA、廣泛的系統(tǒng)功能、增強的I/O和外圍設(shè)備。STM32G081RBT6提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口(兩個I2C、兩個SPI/一個I2S、一個HDMI CEC和四個USART)、一個12位ADC(2.5MSps),最多19個通道、一個帶兩個通道的12位DAC、兩個快速比較器、一個內(nèi)部電壓參考緩沖器、一個低功耗RTC、一個以兩倍CPU頻率運行的高級控制PWM定時器、,五個通用16位定時器,其中一個運行頻率為CPU頻率的兩倍,一個32位通用定時器,兩個基本定時器,兩兩個低功耗16位定時器、兩個看門狗定時器和一個SysTick定時器。意法半導(dǎo)體STM32G081RBT6的中文參數(shù)品牌:ST(意法半導(dǎo)體)產(chǎn)品分類:32位MCU封裝:64-LQFP(10x10)核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:64MHz連接能力:HDMI-CEC,I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART,USB外設(shè):欠壓檢測/復(fù)位,DMA,I2S,POR,PWM,WDTI/O數(shù):60程序存儲容量:128KB(128K x 8)程序存儲器類型:閃存EEPROM容量:-RAM大小:36K x 8電壓-供電(Vcc/Vdd):1.7V ~ 3.6V數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 19x12b; D/A 2x12b振蕩器類型:內(nèi)部工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)安裝類型:表面貼裝型基本產(chǎn)品編號:STM32G081HTSUS:8542.31.0001產(chǎn)品應(yīng)用:高性能MCU意法半導(dǎo)體STM32G081RBT6的功能特點1、高性能:STM32G081RBT6采用了ARM Cortex-M0+內(nèi)核,工作頻率高達(dá)64MHz,具有較強的計算能力和響應(yīng)速度。2、豐富的外設(shè):該微控制器集成了豐富的外設(shè),包括多個通用計時器、高精度時鐘、多路模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)、數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)、通用串行接口(USART、SPI、I2C)等,能夠滿足不同應(yīng)用的需求。3、低功耗設(shè)計:STM32G081RBT6支持多種低功耗模式,包括低功耗運行模式和待機模式,能夠有效降低系統(tǒng)功耗,延長電池壽命。4、安全性:該微控制器支持硬件加密和安全啟動功能,能夠保護(hù)系統(tǒng)的信息安全。5、靈活的擴(kuò)展性:該微控制器支持多種外部存儲器接口和通信接口,能夠方便地與外部設(shè)備進(jìn)行連接和通信。意法半導(dǎo)體STM32G081RBT6的應(yīng)用領(lǐng)域STM32G081RBT6是一款低功耗、高性能的32位ARM Cortex-M0+微控制器,其主要應(yīng)用領(lǐng)域如下:1、工業(yè)控制和自動化:STM32G081RBT6具有豐富的通信和控制接口,可用于工業(yè)自動化控制系統(tǒng)、智能電機控制、傳感器讀取和數(shù)據(jù)采集等應(yīng)用。2、消費類電子產(chǎn)品:在智能家居、智能穿戴設(shè)備、智能健康監(jiān)測器等消費類電子產(chǎn)品中,STM32G081RBT6能夠提供低功耗、高性能的解決方案。3、醫(yī)療設(shè)備:STM32G081RBT6適用于醫(yī)療設(shè)備,如便攜式醫(yī)療監(jiān)護(hù)設(shè)備、醫(yī)療傳感器等,能夠滿足醫(yī)療行業(yè)對高可靠性和低功耗的要求。意法半導(dǎo)體STM32G081RBT6的引腳封裝圖意法半導(dǎo)體STM32G081RBT6的原理圖意法半導(dǎo)體STM32G081RBT6的型號解釋圖
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