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在近期的閃存峰會上,一家由英國蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎。他們展示了ULTRARAM,一個結(jié)合了DRAM高性能和閃存非易失性的新技術(shù),力求制造出同時替代閃存和DRAM的通用存儲。
ULTRARAM與閃存和DRAM的區(qū)別閃存和DRAM作為已經(jīng)被行業(yè)使用了數(shù)十年的存儲形式,因為其特性不同,往往只能被分別用于特定場景中。以閃存為例,其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴展性等特點,但缺點在于需要高壓開關(guān)電路,以及相對較慢的編程/擦除。DRAM擁有極高的耐用性,操作快速,但其為易失性存儲,需要持續(xù)的電源供應(yīng),加上破壞性讀出以及容量擴展上始終存在困難。可以看出,無論是閃存和DRAM,都逃不開能耗、性能、耐用性的二選一,所以這些年兩者始終處于一個共生的局面。而ULTRARAM作為一個通用內(nèi)存,自然是要解決閃存和DRAM之間存在的這些矛盾。與這兩者在材料層面不同的是,ULTRARAM用的是III-V族化合物半導(dǎo)體,且主要是其中6.1 ? 家族的半導(dǎo)體,比如砷化銦、碲化鎵和碲化鋁。ULTRARAM是一種基于電荷的存儲器,像NAND一樣使用浮柵結(jié)構(gòu),所以也能像其他閃存一樣,實現(xiàn)非破壞性讀出。但相較閃存和DRAM,ULTRARAM可以實現(xiàn)超長時間的存儲,這得益于其TBRT結(jié)構(gòu)。哪怕是在單bit級別也能存儲遠(yuǎn)大于十年的時間,ULTRARAM中的電荷可以存儲1000年而不會出現(xiàn)泄露。且ULTRARAM開關(guān)能耗極低,開關(guān)速度更是低于ns級。離量產(chǎn)還有多久?然而任何新的存儲形態(tài)在試圖挑戰(zhàn)閃存和DRAM之前,都必須解決制造和量產(chǎn)的問題,因為這才是決定其能否商業(yè)化的關(guān)鍵之一。常見的阻礙有,在現(xiàn)有的固態(tài)制造設(shè)備之上,是否需要尚未投入使用的材料和工具,已經(jīng)對于大部分晶圓廠來說,是否需要額外的工序。據(jù)了解Quinas Technology已經(jīng)宣布添置和購買了相關(guān)設(shè)備,用于生產(chǎn)出20nm的ULTRARAM原型產(chǎn)品,并將繼續(xù)積極推動該技術(shù)的商業(yè)化。在確定其性能達(dá)到宣傳指標(biāo),比如1000萬次重寫循環(huán)后,他們會嘗試開始小規(guī)模市場并尋找感興趣的客戶。與此同時,英國創(chuàng)新機構(gòu)也獎勵了Quinas Technology 30萬英鎊,用于推動這一技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。不過離真正的量產(chǎn)應(yīng)該還有一定的差距,其發(fā)明者及Quinas Technology CSO表示,這對于一家初創(chuàng)公司來說自然是不小的投資,但量產(chǎn)ULTRARAM的過程并非短跑,而是一場馬拉松。Quinas Technology雖然購買了相關(guān)設(shè)備,但其僅用于原型的制造和驗證,真正量產(chǎn)還是需要大型晶圓廠的支持。鑒于目前歐洲仍缺少大型的內(nèi)存制造工廠,據(jù)了解他們很可能選擇與臺積電合作,而不是與歐洲本地的IMEC等企業(yè)合作。在最終產(chǎn)品上,Quinas Technology似乎打算先面向高端市場,比如服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心級別的產(chǎn)品,畢竟消費級存儲市場仍處于一個去庫存的階段,而高性能內(nèi)存恰恰是利潤最高的。同時Quinas Technology透露,對UTRARAM感興趣的公司中包括Meta,后者對于ULTRARAM的節(jié)能特性尤其看好。寫在最后和所有新的存儲技術(shù)一樣,大規(guī)模量產(chǎn)并控制成本才是最關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。而對于ULTRARAM來說,該技術(shù)尚未到量產(chǎn)驗證階段,還在性能與指標(biāo)的驗證階段,如果原型產(chǎn)品和之后的小批量產(chǎn)品能夠與宣傳保持一致的話,相信這一技術(shù)會獲得更多公司的青睞和投資。
ULTRARAM與閃存和DRAM的區(qū)別
離量產(chǎn)還有多久?
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線控制動技術(shù)顛覆傳統(tǒng)汽車工程”在瞬息萬變的汽車行業(yè)中,技術(shù)的發(fā)展繼續(xù)重新定義我們的駕駛方式。自動駕駛技術(shù)需要實現(xiàn)對車輛的全面控制,而制動系統(tǒng)是其中重要的一部分。隨著自動駕駛技術(shù)的不斷發(fā)展,線控制動技術(shù)將得到更廣泛的應(yīng)用。線控制動技術(shù)可以通過計算機控制實現(xiàn)對車輛制動系統(tǒng)的精確控制,為自動駕駛技術(shù)的實現(xiàn)提供更好的支持。線控制動技術(shù)是一種先進(jìn)的汽車制動技術(shù),將精確的電子傳感器和電子執(zhí)行元件代替?zhèn)鹘y(tǒng)的機械系統(tǒng),實現(xiàn)車輛的制動控制。這種技術(shù)不僅可以提高車輛的制動性能和安全性,還可以為自動駕駛技術(shù)提供更好的支持。傳感器在線控制動技術(shù)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。比如,當(dāng)駕駛員踩下剎車踏板,位置傳感器和開關(guān)芯片就會啟動,讓車輛實現(xiàn)安全停車。“邁來芯有廣泛的傳感器和驅(qū)動器產(chǎn)品組合,適用于線控制動技術(shù)領(lǐng)域,如踏板檢測、喚醒開關(guān)、制動電機通訊,以幫助客戶解決不同的應(yīng)用場景?!? ? ?-踏板監(jiān)測推薦產(chǎn)品 -▼MLX90513電感式位置傳感器接口芯片MLX90513 是一款用于絕對旋轉(zhuǎn)或線性位置傳感的電感式傳感器接口芯片。該器件可提供 ±0.1% 的滿量程精度,具有抗雜散磁場,且符合 ASIL C 級要求。▼MLX90377Triaxis 性能系列磁位置傳感器芯片MLX90377 是一款專為高性能汽車應(yīng)用打造的靈活的磁位置傳感器芯片。它通過磁體檢測 X、Y 和 Z 三個軸的磁場,以測量旋轉(zhuǎn)或線性運動。? ? ?- 喚醒開關(guān)推薦產(chǎn)品-▼MLX92292具有側(cè)向靈敏度的 3 線 ASIL B 霍爾開關(guān)MLX92292 代表了一種全新的感應(yīng)方式。該器件提供開關(guān)和鎖存器功能,但是與市場上的現(xiàn)有產(chǎn)品不同,它可以確定是否存在側(cè)向磁場(而不僅僅是正交磁場)。? ? ?- 制動電機通訊推薦產(chǎn)品-▼MLX90423Triaxis 主流線性抗雜散磁場位置傳感器芯片MLX90423 是一款磁位置傳感器芯片,適用于要求嚴(yán)格但注重成本的汽車應(yīng)用。它對雜散場具有強大的抗干擾能力,支持長距離線性運動,可提供模擬、PWM 或 SENT 輸出。▼MLX90510高速電感式位置解碼器MLX90510 是一款高速電感式解角器芯片,用于安全關(guān)鍵型汽車應(yīng)用中的絕對旋轉(zhuǎn)運動/位置檢測。芯片提供模擬(正弦/余弦)輸出。▼MLX90517電感式位置解碼器-模擬(片外計算)MLX90517是一款高速電感式位置解碼器芯片,可在安全性要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用中實現(xiàn)絕對旋轉(zhuǎn)運動/位置感應(yīng)。它提供模擬(正弦/余弦)輸出,需要進(jìn)行片外計算。
機構(gòu)指出,AI時代浪潮洶涌,海量數(shù)據(jù)催生龐大的算力需求,帶動AI服務(wù)器需求量與日俱增,用于服務(wù)器內(nèi)、外部數(shù)據(jù)傳輸?shù)冉涌谛酒搽S之攀升。接口芯片在AI服務(wù)器數(shù)據(jù)傳輸中至關(guān)重要,NVDA預(yù)計2023H2大幅增加生成式AI及超算供應(yīng)印證需求,接口芯片量價齊升趨勢確定。國盛證券認(rèn)為,接口芯片系IC設(shè)計皇冠之明珠,高壟斷格局,國內(nèi)接口芯片設(shè)計公司不斷實現(xiàn)突破,有望在AI時代享受良好的競爭格局及更為廣闊的市場空間。據(jù)財聯(lián)社主題庫顯示,相關(guān)上市公司中:帝奧微在服務(wù)器領(lǐng)域已有布局,如I2C開關(guān)、I3C開關(guān)、PCIe開關(guān)已經(jīng)開始導(dǎo)入量產(chǎn)。瀾起科技在DDR5內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域,公司牽頭制定第一/第二/第三子代內(nèi)存接口芯片國際標(biāo)準(zhǔn),相關(guān)技術(shù)水平處于國際領(lǐng)先地位。
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