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ST意法半導體新的1350V系列產品提高IGBT模塊的耐用性和效率
ST意法半導體發布了一種新型IGBTs，其擊穿電壓能力提高到1350V，最大工作溫度為175°c，更高的額定值確保了更大的設計裕度、穩定的性能以及在所有工作條件下的擴展可靠性。
新的STPOWER IH2系列IGBTs也允許增加功率轉換效率。有利的參數包括低飽和電壓Vce(sat ),可確保器件開啟時的低功耗。續流二極管具有低壓降和優化的關斷能量，可提高工作頻率范圍為16kHz至60kHz的單開關準諧振轉換器的效率。
憑借其耐用性和高效率，這些IGBTs非常適合感應加熱應用，包括廚房灶臺、變頻微波爐和電飯煲等家用電器。在2kW的應用中，ST的新IGBT器件可以減少高達11%的功耗。
此外，Vce(sat)具有正溫度系數，器件之間緊密的參數分布有助于簡化設計，并易于并聯多個IGBTs，以滿足高功率應用的需求。
該系列的前兩款器件25A STGWA25IH135DF2和35A STGWA35IH135DF2現已量產，采用標準TO-247長引腳電源封裝。
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