據(jù)外媒報(bào)道，韓國(guó)政府認(rèn)識(shí)到半導(dǎo)體封裝技術(shù)的戰(zhàn)略重要性，啟動(dòng)了一項(xiàng)重大封裝技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目，名為“半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)先核心技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目”。該項(xiàng)目將在未來(lái)5-7年內(nèi)投資3000億至5000億韓元（2.34億至3.906億美元），幫助企業(yè)在先進(jìn)封裝領(lǐng)域快速趕上臺(tái)積電等國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)。

據(jù)悉，先進(jìn)封裝研發(fā)項(xiàng)目大致可分為追趕型和領(lǐng)先型兩種類型。前者旨在提升國(guó)內(nèi)在異構(gòu)集成、晶圓級(jí)封裝（WLP）、面板級(jí)封裝（PLP）和高密度倒裝芯片等領(lǐng)域的能力。這些領(lǐng)域目前由臺(tái)灣的臺(tái)積電、美國(guó)的Amkor和中國(guó)的長(zhǎng)電科技（600584）主導(dǎo)。其中，臺(tái)積電在高密度SoC技術(shù)領(lǐng)域表現(xiàn)出色，憑借扇出晶圓級(jí)封裝（FOWLP）、芯片集成、2.5D封裝等技術(shù)優(yōu)勢(shì)，獲得了蘋果、英偉達(dá)和 AMD等廠商的大量訂單。至于領(lǐng)先類型，它將專注于韓國(guó)公司表現(xiàn)出強(qiáng)大實(shí)力的技術(shù)領(lǐng)域，如基于2.5D封裝的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）優(yōu)化、10至40微米（ m）鍵合和混合鍵合。

據(jù)報(bào)道，該研發(fā)項(xiàng)目已進(jìn)入最終起草狀態(tài)，不久將進(jìn)行初步審查，但業(yè)內(nèi)人士呼吁免除或簡(jiǎn)化審查程序，以便韓國(guó)半導(dǎo)體公司更快地增強(qiáng)其芯片封裝競(jìng)爭(zhēng)力。

此外，在相關(guān)技術(shù)的發(fā)展中，據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，韓國(guó)電子通信研究所（ETRI）開發(fā)出了先進(jìn)的半導(dǎo)體Chiplet封裝技術(shù)，與目前的日本技術(shù)相比，該技術(shù)可節(jié)省95%的功耗。ETRI通過(guò)利用其新開發(fā)的材料和激光器將制造過(guò)程從九個(gè)階段減少到三個(gè)階段，這一進(jìn)步有望在未來(lái)應(yīng)用于自動(dòng)駕駛汽車和數(shù)據(jù)中心的高性能人工智能芯片。

目前，半導(dǎo)體制造商在其先進(jìn)封裝工藝中主要使用來(lái)自日本的材料。由于制造的復(fù)雜性，涉及九個(gè)階段和多個(gè)設(shè)備，因此存在能耗高、潔凈室維護(hù)成本高以及有毒物質(zhì)排放等多種缺點(diǎn)。而ETRI新開發(fā)的材料受到激光照射時(shí)，可以同時(shí)處理半導(dǎo)體封裝過(guò)程中的多個(gè)階段，如粘合、清潔、干燥、涂覆和固化，流程的簡(jiǎn)化使生產(chǎn)設(shè)施明顯減少。另外，該工藝不需要氮?dú)猓瑥亩苊饬擞卸疚镔|(zhì)的產(chǎn)生。

據(jù)ETRI稱，新Chiplet封裝技術(shù)最快將在三年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。