IPM29- SiC_MOS智能功率模塊新產(chǎn)品內(nèi)部集成了新一代N溝道增強(qiáng)型1200V-SiC_MOSFET芯片與與優(yōu)化的SOI工藝6通道柵極驅(qū)動(dòng)芯片，作為緊湊的1200V等級(jí)封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡(jiǎn)便，針對(duì)SIC定制優(yōu)化驅(qū)動(dòng)部分，有效減小開(kāi)關(guān)振蕩。此外，它采用緊湊式封裝，得益于使用具備很高熱導(dǎo)率的DBC基板，具有良好熱性能和充足的電氣隔離等級(jí)能力，具有出色的功率密度、可靠性和性能。它針對(duì)相關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，是一款用于高效率的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與有源功率校正電路的高效逆變平臺(tái)而設(shè)計(jì)的個(gè)性化產(chǎn)品。例如供暖通風(fēng)空調(diào)，風(fēng)扇電機(jī)，車載空調(diào)及三相功率因數(shù)校正。

填補(bǔ)IPM產(chǎn)品市場(chǎng)端的高壓平臺(tái)的高頻應(yīng)用需求。

IPM29- SiC_MOS新系列產(chǎn)驅(qū)動(dòng)集成了自舉電路、一體化使能與可調(diào)故障輸出（FO）、防直通互鎖、欠壓保護(hù)與溫度輸出功能，優(yōu)化的高壓柵極驅(qū)動(dòng)配合內(nèi)集成的高速、低阻抗SiC_MOSFETS逆變橋，極大地改善產(chǎn)品工作EMI特性與開(kāi)關(guān)損耗，適用于高頻開(kāi)關(guān)需求的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

目前產(chǎn)品的規(guī)格等級(jí)有20A / 1200V > XNC20S12FT。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1、集成1200V/20A高壓柵極驅(qū)動(dòng)與配套高速開(kāi)關(guān)SiC_MOS逆變拓?fù)?/p>

2、優(yōu)化驅(qū)動(dòng)與SiC_MOS開(kāi)關(guān)，降低開(kāi)關(guān)損耗與優(yōu)化EMI特性

3、三相全橋逆變拓?fù)洌聵虬l(fā)射極開(kāi)路，適用于各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景

4、驅(qū)動(dòng)集成帶限流電阻自舉二極管

5、內(nèi)置欠壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)，互鎖、可調(diào)故障輸出及溫度輸出(VOT)

6、完全兼容3.3V和5V驅(qū)動(dòng)輸入信號(hào)

7、絕緣電壓等級(jí)：2500Vac

內(nèi)部拓?fù)?/p>

整機(jī)應(yīng)用測(cè)試

32khz載波頻率采樣

15A電流采樣

溫升曲線

XNC20S12FT 新品SiC智能功率模塊在整機(jī)運(yùn)行實(shí)驗(yàn)中表現(xiàn)優(yōu)秀，在較高工作載波頻率（32KHz），負(fù)載電流為80%的額定電流的工況下溫升表現(xiàn)良好，電流、電壓波形穩(wěn)定無(wú)明顯尖刺干擾，能保證電機(jī)的穩(wěn)定、高效運(yùn)轉(zhuǎn)。