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美國柏恩Bourns宣布高性能直流浪涌保護裝置系列——Model1420A系列spd
美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商，今日推出了高性能直流浪涌保護裝置(SPD)系列。Bourns?Model1420A系列spd是一個新的DIN Rail通用spd系列，具有可插拔/可更換模塊，可在不同配置下提供高達50 kA的浪涌速率。Bourns專門設計了1420A系列spd，以滿足電動汽車快速充電器、電池儲能系統(BESS)和光伏發電系統等大功率、敏感的發電和配電終端的高風險電氣服務入口和分支面板保護要求。
持續的異常過電壓高能浪涌可能導致spd和/或MOVs進入熱失控狀態，這種情況多次導致設備過熱并產生火災危險。出于這個原因，Bourns最新的SPD產品采用了先進的熱隔離器(TD+)，具有自熄機制，有助于在災難性的壽命終止事件中提高設備的安全性。這些新的spd配備了一個額外的窗口故障指示器和遠程輔助輸出信號，提供了監控設備狀態的能力。
Bourns?1420A型SPD系列現已上市，符合RoHS*標準。本系列是UL認可的4型，2型定位防雷器，符合IEC 61643-31標準。
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聯發科助威，印度半導體卷土重來妄想推翻大陸制造基地
半導體行業發展至今，全球半導體產業已經進行了三次轉移。在上世紀50年代，由美企Intel的帶領下，我們正式進入到了芯片時代，而美國半導體也憑借這種優勢，成為了全球最大的芯片制造、生產以及銷售中心。但很快，到了80年代末，日本半導體產業的強勢崛起，一度讓美國丟掉了“芯片霸主”的地位，這其中還發生了美國主導下的日本半導體相關事件，自此日本半導體走上了下坡路。隨后，全球半導體產業鏈發生了第三次轉移。從日本半導體手中開始走向韓國半導體和中國半導體。其中，大陸半導體產業鏈更是突飛猛進，從2017年的全球5％占比，到去年提升到了17％。很顯然，大陸也成為了芯片制造重要基地之一。不過，有業內分析人士認為，下一次轉移的時間很快就要到來，目的地就是印度半導體。給出這樣的預測，緣由就是印度半導體有足夠的“野心”，而在野心之下，也有許多半導體行業的巨頭正在向印度市場上靠攏，如蘋果等企業。除此之外，還因為在曾經的歷史上，印度是有可能成為半導體制造大基地之一的。只不過，因為當時印度輸給了灣灣，畢竟他們在的基礎設施和當地的效率等等方面都是他們的“硬傷”，但是在其他的相關產業群聚上，印度半導體那個階段并未差很多。于是，印度半導體打算卷土重來，甚至還妄想推翻大陸制造基地，從他們推出了芯片制造計劃，并且呼吁他們在要在半導體領域中完全取代我們就可以看出來。在這個背景下，聯發科站出來助威了——他們表示如果印度制造的芯片有完善的生態，那么他們并不排斥使用印度制造的芯片。不僅如此，聯發科還說出一番讓人難以理解的話，那就是他認為印度將成為芯片制造中心。不難看出，聯發科對于印度半導體的制造野心很是力挺。而印度的結果也終于出現了，據公開信息顯示，之前印度推出的100億美元興建印度本土半導體產業鏈的計劃，由于申請補貼的窗口期比較短，導致計劃只有少數幾家公司進行申請。在此背景下，印度打算重啟這一項計劃，并且不限制資金，直到這個資金用完為止。明面上，印度半導體認為是因為他們開啟的時間限制太嚴格，所以才導致了后續的重啟。可，在大眾的眼中，重啟計劃已釋放了一個信號，那就是印度強推的本土產業鏈計劃正在“難產”。首先，已經申請的少數幾家進展并不大。申請者包括韋丹塔公司和富士康的聯手，另外是塔塔集團。且看，這幾個可都不是半導體行業經驗豐富的對象，這說明他們當下推出的芯片激烈計劃并沒有引進真正想要去搞半導體制造的企業，比如說三星、臺積電等企業。除此之外，還說明了一個問題，那就是印度當下的半導體環境依舊和以前一樣需要這些企業謹慎評估，其中臺積電就多次表明要評估，到現在臺積電都沒有宣布要入局印度半導體，反而對于歐洲地區的建廠計劃比較感興趣。可見，印度本身的“硬傷”就算是重新開啟了補貼計劃，那么入局者也將和以前一樣寥寥無幾。其次，他們想要發展半導體的前提是需要獲得其余企業的技術授權。如韋丹塔就一直在和美國格芯以及意法半導體進行芯片制造技術的談判。就目前來說，結果不是很好。側面也反應出了，就算他們本土要建設新的半導體芯片工廠也存在技術上的困難性。在這個情況下，如果不吸引進一些本身就有技術實力的企業，印度半導體想要將芯片產業發展的多好顯然是異想天開。可實際上，他們現在根本沒有吸引到任何經驗豐富的企業。總之，印度半導體的難產縮影早就體現了，重啟計劃也不過是讓自己面子上好看一點。想這樣就取代大陸制造基地真的有可能嗎？聯發科恐怕是太高估印度半導體了。
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半導體芯片有哪些常見的應用？
半導體芯片通常也可稱為集成電路，是指在半導體片材上進行浸蝕、布線、制成的能實現某種功能的半導體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等半導體材料。半導體制造的過程就是“點石成金“的過程，主要是對硅晶圓的一系列處理，簡單來說就是通過外延生長、光刻、刻蝕、摻雜和拋光，在硅片上形成所需要的電路，將硅片變成芯片。化合物半導體半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業的基礎。隨著新的半導體材料出現、電力電子技術進步與制作工藝的提高，半導體在過去經歷了三代變化。砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，與第一代半導體硅（Si）相比，在高頻、高溫等方面性能更加優異。化合物半導體芯片因其優異的高頻性能，常用來制造功率半導體，其應用領域越來越廣泛。在應用中通過變頻、變壓、變流、功率放大及管理的方式實現兩大功能：放大和開關。目前75%以上的電能應用需要進行功率變換以后才能供設備使用。其應用領域越來越廣泛。放大：低頻功率變為高頻功率，充分利用放大作用，就可以使用小功率驅動馬達。開關：切換電路的開與關，其開關速度越快，越能實現精密控制。砷化鎵半導體砷化鎵半導體芯片主要用于微波功率器件，即工作在微波波段（頻率300~300000兆赫之間）的半導體器件。由于Si在物理特性上的先天限制，僅能應用在1GHz以下的頻率。然而近年來由于無線高頻通訊產品迅速發展，使得具備高工作頻率、電子遷移速率、抗天然輻射及耗電量小等特性的砷化鎵脫穎而出，在微波通訊領域大規模應用。由于砷化鎵高頻傳輸的特性，除了在手機應用中飛速成長外，筆記本電腦、平板電腦中搭載的WiFi模組、固定網絡無線傳輸，以及光纖通訊、衛星通訊、點對點微波通訊、有線電視、汽車導航系統、汽車防撞系統等，也分別采用1~4顆數量不等的功率放大器，這都是推動砷化鎵成長的強大動力。氮化鎵半導體氮化鎵材料由于禁帶寬度達到3.4eV，與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為第三代半導體材料，也稱為寬禁帶半導體。由于氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子速度大、熱導率高、介電常數小、化學性質穩定和抗輻射能力強等優點，成為高溫、高頻、大功率微波器件的shou選材料之一。氮化鎵（GaN）與砷化鎵（GaAs）性能比較；氮化鎵（GaN）與硅（Si）性能比較由于對高速、高溫和大功率半導體器件需求的不斷增長，使得氮化鎵材料器件逐漸被半導體市場應用。其主要應用領域包括：新能源領域：在可再生能源領域，在將風電和太陽能電力接入電網以及減少輸電損耗方面，都發揮了極其重要的作用；綠色能源、電動汽車、綠色電子照明等新興領域正在成為功率器件市場應用的新熱點，需求強勁。信息通訊設備領域：增強型氮化鎵電晶體表現出高耐輻射性能，從而適用于通訊和科學衛星的功率和通訊系統；點到點通信、衛星通信、各種雷達和新型工業/YL應用都將從這些大功率氮化鎵器件的應用中獲益。4C產業：國內各主要IT產品仍將保持旺盛的市場需求，筆記本電腦、顯示器、打印機、電視機、組合音響、激光視盤機等傳統產品以及新興汽車電子均將在未來保持平穩增長。隨著空調、節能電機等電子產品產能向ZG大陸轉移，功率半導體的需求也將成倍地增加。智能電網領域：功率半導體在提高整個電力供應鏈--從發電、輸配電到Z后的用電--的能效方面發揮著至關重要的作用。碳化硅半導體碳化硅（SiC）因其在高溫、高壓、高頻等條件下的優異性能表現，成為當前Z受關注的半導體材料之一，在交流-直流轉換器等電源轉換裝置中得到大量應用，未來亦有望在半導體功率器件領域逐步實現對硅的全面替代，碳化硅半導體時代即將開啟。與硅器件相比，碳化硅半導體芯片的功率損耗可減少將近50%，從而有效提升電源轉換效率。碳化硅器件由于轉換效率高、發熱小，所以可以有效減小冷卻系統的體積，從而實現電源轉換裝置整體的小型化，這對于新能源汽車等需要大量電源轉換裝置的系統具有重大的意義。因此，對于需要高轉換效率和高功率密度的系統，碳化硅器件具有無可比擬的優勢，值得推薦選擇。正因為碳化硅具備這些優異的性能，所以它特別適合深井鉆探、太陽能逆變器（實現直流與交流的轉換）、風能逆變器、電動汽車與混合動力汽車、工業驅動以及輕軌牽引等需要大功率電源轉換的應用。
哦! 它是空的。