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因芯片供應不足 日本停售部分交通卡
受芯片供應不足的影響，日本多家鐵路和公交公司從今天起暫停發售部分交通卡。在日本乘坐列車和公交時，當地民眾普遍使用含有IC芯片的交通卡。除了能用它乘坐交通工具外，還可以充值用于日常購物。但受到芯片供應不足的影響，包括日本最大的鐵路公司——東日本旅客鐵路公司在內，日本多家交通企業開始暫停發售部分交通卡，預計將到明年春季才能恢復。
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瑞薩R5F102AAASP單片機的中文參數、功能特點和應用領域
瑞薩R5F102AAASP單片機是一款功能強大的16位微控制器，以下是其詳細的中文參數、功能特點以及應用領域：中文參數?制造商?：瑞薩電子（Renesas Electronics）?系列?：RL78系列?核心處理器?：RL78核心，16位架構?最大工作頻率?：24 MHz?低功耗?：工作電流典型值為1.15 mA（在16 MHz模式下）?存儲器?：16KB（16Kx8）閃存程序存儲器和2Kx8的數據存儲器?外設接口?：CSI（串行存儲器接口）、I2C（串行總線系統）、UART/USART（通用異步接收器/發送器）等?集成外設?：DMA（直接內存訪問）、POR（上電復位）、PWM（脈沖寬度調制）、WDT（看門狗定時器）等?I/O端口數量?：26個?電源電壓范圍?：1.8V至5.5V?工作溫度范圍?：-40°C至85°C?封裝類型?：30SSOP封裝，包含30個引腳功能特點?高性能?：采用RL78核心處理器，提供高處理性能，滿足各種復雜應用的需求。?低功耗?：具有低功耗特性，適合長時間運行的嵌入式應用。?多種外設接口?：提供多種外設接口，方便與其他設備進行通信和數據交換。?集成外設豐富?：集成DMA、POR、PWM、WDT等多種外設，滿足多種應用需求。?靈活的I/O配置?：提供26個I/O端口，可靈活配置以實現各種功能。?寬電源電壓范圍?：支持1.8V至5.5V的電源電壓，適應不同電源需求。?寬工作溫度范圍?：支持-40°C至85°C的工作溫度范圍，適用于各種環境。應用領域?工業控制?：適用于各種工業控制應用，如自動化生產線、機器控制等。?智能家居?：可用于智能家居設備中，如智能插座、智能照明等。?數據收集和處理?：適用于數據收集和處理應用，如環境監測、醫療設備等。?消費類電子?：如音頻/視頻設備、游戲控制器等。綜上所述，瑞薩R5F102AAASP單片機以其高性能、低功耗、多種外設接口和豐富的集成外設等特點，在工業控制、智能家居、數據收集和處理以及消費類電子等領域有著廣泛的應用前景，如果您需要采購此芯片（您可以直接撥打聯系添加微信13823669944這個號碼）。
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Transphorm發布兩款應用于兩輪和三輪電動車電池充電器的參考設計
新設計工具有助于加速兩輪電動車市場的產品設計，并幫助系統工程師充分利用SuperGaN FET的優勢2023 年 12月 21 日－全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼TGAN）宣布推出兩款面向電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器采用 Transphorm 的70毫歐和150毫歐 SuperGaN? 器件，以極具競爭力的成本實現高效的 AC-DC 功率轉換和高功率密度。這兩款參考設計旨在幫助兩輪和三輪電動車充電器快速實現量產。據悉，印度和中國的兩輪和三輪電動車年銷量分別超過 1,400 萬輛和 4,500 萬輛。另外，這兩款參考設計還可用于各種其它應用，包括快充、LED可調光驅動器、游戲機和高性能筆記本電腦。Transphorm 全球銷售和FAE副總裁 Tushar Dhayagude 表示：“氮化鎵應用正在電動車市場迅速普及。這主要是因為相比碳化硅或硅等替代選擇方案，氮化鎵技術能夠以具成本效益的高良率制造工藝實現高功率密度。特別值得一提的是，Transphorm的 SuperGaN 器件得到了兩輪和三輪車制造商的廣泛關注和認可，因為與硅解決方案相比，我們的方案除了具備上述優點之外，還擁有系統和器件級的成本優勢。我們很高興能夠基于客戶持續的設計要求推出相應參考設計，幫助內置或外置充電器制造商加速推出基于氮化鎵的系統，提升新一代車輛的性能和可用性。”什么是 CC/CV？恒流/恒壓（CC/CV）鋰離子電池充電方式，是在充電初始階段采用恒流充電，在充電后期當電池達到設定的充電量時切換到恒壓充電，以防止電池過充。開放架構 CC/CV AC-DC 電池充電器新發布的300 W 和 600 W 參考設計將 SuperGaN FET 與控制器配對，采用流行的功率因數校正 (PFC) 和諧振 LLC 拓撲，其中 LLC 特別針對寬電池電量范圍（從空電到滿電）的設計。利用 Transphorm 的 SuperGaN 平臺，電源系統開發人員能夠最大限度發揮PFC+LLC的性能潛力，以最具競爭力的成本實現這些拓撲所能達到的最高效率。這兩款參考設計采用純模擬控制器，而不是需要固件的數字控制器。這種配置具有幾個優點，例如更易于設計、產品開發簡化，原因如下：? 開發資源要求降低? 開發時間縮短? 無需進行可能很復雜的固件編程/維護注：300W 參考設計包括一個額外的 PWM 輸入端口，用于獲取低于額定輸出值的輸出電流，從而進一步提高了應對各類電池的靈活性。主要技術規格如下：這兩款參考設計采用的是Transphorm 的 SuperGaN FET器件，SuperGaN的獨特優勢包括：? 業界領先的穩健性：+/- 20 V 柵極閾值和 4 V 抗擾性。? 更優的可設計性：減少器件周邊所需電路。? 更易于驅動：SuperGaN FET能使用硅器件所常用的市售驅動器。如何獲取參考設計Transphorm 目前可以提供完整的 300 W 和 600 W CC/CV 電池充電器參考設計。? TP65H070G4PS采用 TO-220 封裝的 650 V、72 mΩ GaN FET ? TP65H150G4PS采用 TO-220 封裝的 650 V、150 mΩ GaN FET
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