產品列表
品牌專區
BOM詢價
關于我們
今天教你4個步驟選擇一個合適的MOSFET。
第一步:選用N溝道還是P溝道為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中,當一個MOSFET接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,應采用N溝道MOSFET,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時,就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET,這也是出于對電壓驅動的考慮。要選擇適合應用的器件,必須確定驅動器件所需的電壓,以及在設計中最簡易執行的方法。下一步是確定所需的額定電壓,或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大,器件的成本就越高。根據實踐經驗,額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護,使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設計人員必須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍,確保電路不會失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。第二步:確定額定電流第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結構而定,該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似,設計人員必須確保所選的MOSFET能承受這個額定電流,即使在系統產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式下,MOSFET處于穩態,此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。選好額定電流后,還必須計算導通損耗。在實際情況下,MOSFET并不是理想的器件,因為在導電過程中會有電能損耗,這稱之為導通損耗。MOSFET在“導通”時就像一個可變電阻,由器件的RDS(ON)所確定,并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算,由于導通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會越小;反之RDS(ON)就會越高。對系統設計人員來說,這就是取決于系統電壓而需要折中權衡的地方。對便攜式設計來說,采用較低的電壓比較容易(較為普遍),而對于工業設計,可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。第三步:確定熱要求
選擇MOSFET的下一步是計算系統的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況,即最壞情況和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結果,因為這個結果提供更大的安全余量,能確保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據;比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻,以及最大的結溫。
器件的結溫等于最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積(結溫=最大環境溫度+[熱阻×功率耗散])。根據這個方程可解出系統的最大功率耗散,即按定義相等于I2×RDS(ON)。由于設計人員已確定將要通過器件的最大電流,因此可以計算出不同溫度下的RDS(ON)。值得注意的是,在處理簡單熱模型時,設計人員還必須考慮半導體結/器件外殼及外殼/環境的熱容量;即要求印刷電路板和封裝不會立即升溫。第四步:決定開關性能選擇MOSFET的最后一步是決定MOSFET的開關性能。影響開關性能的參數有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗,因為在每次開關時都要對它們充電。MOSFET的開關速度因此被降低,器件效率也下降。為計算開關過程中器件的總損耗,設計人員必須計算開通過程中的損耗(Eon)和關閉過程中的損耗(Eoff)。MOSFET開關的總功率可用如下方程表達:Psw=(Eon+Eoff)×開關頻率。而柵極電荷(Qgd)對開關性能的影響最大。
7月21日訊,隨著各路資本持續加注人工智能,卡住“存力”環節的存儲芯片公司再次站到了聚光燈下。不過,在這場盛宴之中,并不是所有人都有資格受到邀請,手握門票、率先入場的SK海力士更是尤其明白這個道理。這張門票正是當下供不應求的HBM。由于人工智能需求激增,HBM和DDR5的價格和需求都在增長。HBM的價格是現有DRAM產品的5-6倍;DDR5的價格也比DDR4高出15%到20%。另據BusinessKorea援引業內人士消息透露,在最近一次非公開企業說明會上,SK海力士預計,2024年HBM和DDR5的銷售額有望翻番。雖然目前HBM在SK海力士的營收占比不及1%,但今年這一比例便有望上升至10%。而SK海力士今年上半年預計虧損超過6萬億韓元,如今或許意在憑借高附加值內存實現反彈。公司副總裁Park Myoung-soo對整個市場前景頗為樂觀。他預計,AI服務器內存(包括HBM、DDR4和DDR5)在整個服務器內存市場的份額將從今年的17%增加到5年后的38%,未來5年人工智能服務器效應帶來的新增DRAM需求將累計達到400億GB。SK海力士目標2026年生產HBM4。另外,SK海力士還透露了未來產品的具體路線圖。公司已明確明年上半年生產HBM3E,并將HBM4的生產目標時間定在了2026年。SK海力士計劃在HBM4中采用先進封裝技術“混合鍵合(hybrid bonding)”,與現有的“非導電膜(non - conductive film)”相比,混合鍵合提高了散熱效率、減少了布線長度、提高了輸入/輸出密度,還能將HBM層數限制由12層提升至16層。在此之前,SK海力士已著手擴建HBM產線,目標將HBM產能翻倍。擴產焦點在于HBM3,SK海力士正在準備投資后段工藝設備,將擴建封裝HBM3的利川工廠。預計到今年年末,后段工藝設備規模將增加近一倍。而半導體行業中,圍繞高附加值DRAM的競爭將日趨激烈。另一存儲芯片巨頭三星也計劃投資1萬億韓元(約合7.6億美元)擴產HBM,目標明年底之前將HBM產能提高一倍,公司已下達主要設備訂單。韓媒還指出,從第四季度開始,三星將向英偉達供應HBM3,目前后者的HBM由SK海力士獨供。
在技術和電子產品日新月異的今天,保持領先競爭力勢在必行。PwrBlade Mini線對板和板對板連接器是安費諾久負盛名的PwrBlade產品系列的創新產品。這類連接器將重新定義薄型應用中的電源和信號傳輸,憑借豐富的功能滿足現代工業需求。PwrBlade Mini線對板連接器重新定義電源和效率薄型設計,高電流密度PwrBlade Mini線對板連接器經過精心設計,能夠在空間有限的情況下,滿足對電流密度需求日益增長的應用場景。每個觸點可承載高達25A的電流(每列50A),確保在不影響空間的情況下提供穩定的電源。線纜范圍靈活電源觸點的端接上限為12AWG,信號觸點的端接范圍為26AWG至22AWG。多功能性設計,適用于多種系統,滿足電源應用需求。連接可靠,傳輸穩定采用壓按釋放式閂鎖和滑動閂鎖CPA選項,確保在所有應用中實現安全可靠的連接。這一特性不僅保證了穩定的傳輸,還提高了連接器的整體耐用性。模塊化裝配可滿足定制需求模塊化裝配設計可實現多種電源和信號觸點組合,提供定制選項以滿足特定應用需求。這一特性使得PwrBlade Mini連接器脫穎而出, 成為各行各業的理想之選。PwrBlade Mini板對板連接器設計緊湊,性能強大無與倫比的薄型設計PwrBlade Mini板對板連接器距電路板僅8.10毫米,是薄型電源和信號連接的典范。PCB無懸空,即使在空間受限的設計中也能大限度地利用空間。定制化觸點配置與線對板連接器類似,板對板連接器也采用模塊化裝配設計,可定制電源和信號觸點,可確保連接器無縫集成到各種應用中。高效端接選擇PwrBlade Mini板對板連接器提供壓接尾端和焊接尾端兩種PCB端接選項,使其PCB布局靈活,可與各種系統配置兼容。低壽命末期接觸電阻經測試,PwrBlade Mini板對板連接器具有小于2.0m?的超低壽命末期接觸電阻。即使在苛刻的條件下,也能確保穩定的性能和使用壽命。PwrBladeMiniMezz連接器系列結構緊湊,功能強大PwrBladeMiniMezz連接器系列在夾層連接器技術方面取得了突破,將緊湊外形與卓越功能無縫結合。該系列連接器的堆疊高度從8毫米到20毫米不等,電源和信號觸點可供選擇,為多種應用提供了多功能解決方案。無縫盲插配接其突出特點之一是創新的盲插導軌,可實現出色的±0.80mm的可聚合性。確保了即使在極具挑戰性的盲插情況下也能保持無縫連接。這一特性顯著增強了連接器的可靠性和可用性。端接靈活該系列可選擇焊尾或壓接端接,從而滿足不同PCB布局和制造工藝。無論應用的具體要求如何,都能確保無縫集成過程。高電流密度,低接觸電阻該系列以成熟的PwrBlade技術為基礎,能在空間有限的環境中提供更高的電流密度。電源觸點采用專利GCS電鍍,信號觸點采用GXT,從而實現了低接觸電阻,確保連接器保持可靠高效的性能。跨行業應用PwrBladeMini連接器在各行各業都有其獨特的應用,包括:通信IT和數據通信-服務器/存儲類工業自動化和儀器儀表ESS/UPS(儲能系統/不間斷電源)汽車和電動汽車充電總的來說,PwrBladeMini線對板和板對板連接器憑借其薄型設計、定制選項和卓越性能,將徹底變革各行各業的連接方式。使用PwrBladeMini連接器,擁抱萬物互聯的未來。
詢價列表 ( 件產品)