4008-622-911
德州儀器LM2596S-5.0開關(guān)穩(wěn)壓器的工作原理、特征、應(yīng)用以及引腳圖
LM2596 系列穩(wěn)壓器是為降壓開關(guān)穩(wěn)壓器提供所有有效 功能的單片集成電路，能夠驅(qū)動 3A 的負(fù)載，并且擁有 出色的線路和負(fù)載調(diào)節(jié)性能。這些器件可提供 3.3V、 5V、12V 固定輸出電壓和可調(diào)節(jié)輸出電壓版本。 這類穩(wěn)壓器不僅需要很少的外部元件，而且簡單易用， 還具有內(nèi)部頻率補(bǔ)償和固定頻率振蕩器。 LM2596 系列在 150kHz 的開關(guān)頻率下運(yùn)行，因此采用 的濾波器組件可比更低頻率的開關(guān)穩(wěn)壓器所需的組件尺 寸更小。采用 5 引腳 TO-263 表面貼裝封裝。
特征
3.3V、5V、12V 和可調(diào)輸出版本
可調(diào)輸出電壓范圍：1.2V 至 37V，在各種線路和負(fù) 載條件下的最高電壓容差為 ±4%
采用 TO-263 封裝
輸出負(fù)載電流為 3A
輸入電壓范圍高達(dá) 40V
只需要四個(gè)外部元件
出色的線路和負(fù)載調(diào)節(jié)規(guī)格
150kHz 固定頻率內(nèi)部振蕩器
TTL 關(guān)斷功能
低功耗待機(jī)模式，IQ 典型值為 80μA
高效率
使用現(xiàn)成的標(biāo)準(zhǔn)電感器
熱關(guān)斷和電流限制保護(hù)
應(yīng)用
電器
電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施
EPOS
家庭影院
功能方框圖
典型應(yīng)用原理圖
引腳和引腳功能
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亞德諾ADP3623ARHZ-RL芯片的中文參數(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域和功能特點(diǎn)
您好，很高興為您提供關(guān)于亞德諾ADP3623ARHZ-RL芯片的詳細(xì)信息。以下是該芯片的中文參數(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域和功能特點(diǎn)：一、中文參數(shù)?制造商?：Analog Devices Inc.（亞德諾）?產(chǎn)品編號?：ADP3623?包裝?：卷帶（TR）?產(chǎn)品狀態(tài)?：在售?驅(qū)動配置?：低端?驅(qū)動器數(shù)?：2?電源電壓?：4.5V~18V?邏輯電壓?：VIL=0.8V，VIH=2V?輸出電流?：4A（雙通道）?輸入類型?：反相?上升/下降時(shí)間?：10ns?通道類型?：獨(dú)立式?柵極類型?：N溝道MOSFET?工作溫度?：-40°C~150°C（TJ）?封裝?：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm寬）裸露焊盤二、應(yīng)用領(lǐng)域ADP3623ARHZ-RL芯片由于其高性能和穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于各種需要精確控制電源和信號放大的領(lǐng)域，如：?電源管理?：用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、LED驅(qū)動器等電源管理電路中，提供穩(wěn)定的電源輸出。?電機(jī)控制?：在電機(jī)驅(qū)動電路中，作為柵極驅(qū)動器，控制電機(jī)的啟動、停止和速度調(diào)節(jié)。?工業(yè)自動化?：在工業(yè)自動化系統(tǒng)中，用于控制各種執(zhí)行器和傳感器，實(shí)現(xiàn)自動化生產(chǎn)。三、功能特點(diǎn)?高速驅(qū)動?：具有10ns的快速上升/下降時(shí)間，能夠滿足高速信號處理的需求。?雙通道設(shè)計(jì)?：提供兩個(gè)獨(dú)立的驅(qū)動通道，可以同時(shí)控制兩個(gè)N溝道MOSFET，提高系統(tǒng)的靈活性和效率。?寬電源電壓范圍?：支持4.5V至18V的電源電壓，適用于不同電壓等級的電路應(yīng)用。?高精度控制?：通過精確的邏輯電壓控制，實(shí)現(xiàn)對MOSFET的高精度開關(guān)控制。?高工作溫度范圍?：能夠在-40°C至150°C的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。希望以上信息能夠幫助您更好地了解亞德諾ADP3623ARHZ-RL芯片。如果您有進(jìn)一步的采購需求或疑問，請隨時(shí)聯(lián)系我們。
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功率半導(dǎo)體的碳化硅時(shí)代
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，碳化硅已被廣泛應(yīng)用于功率器件的制造。隨著新能源汽車、工業(yè)電源、光伏儲能等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅市場正在迅速擴(kuò)大。11月23日，上海浦東臨港，在由臨港集團(tuán)主辦、臨港科投與AspenCore承辦的“2023中國臨港國際半導(dǎo)體大會”同期舉辦的“汽車半導(dǎo)體峰會”上，基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍以“功率半導(dǎo)體的碳化硅時(shí)代”為主題，分享了碳化硅市場概述及碳化硅技術(shù)的發(fā)展趨勢。碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)預(yù)測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計(jì)，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。根據(jù)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，2022年意法碳化硅功率器件的市占率約為37%-40%，英飛凌和Wolfspeed市占率分別為19%和20%左右，安森美緊隨隨后，份額為14%。最后，根據(jù)數(shù)據(jù)來源的不同，羅姆市占率在7%-11%之間。這些公司在2023年的財(cái)務(wù)指引顯示，其營收可能達(dá)到約34億美元，增長速度接近100%。據(jù)預(yù)測，到2028年，該市場規(guī)模將增長到約89億美元，其中電動汽車市場的占比將繼續(xù)擴(kuò)大。到2030年，碳化硅器件市占率預(yù)期總和已超過100%。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和成本的降低，碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒉粩鄶U(kuò)大。未來幾年，電力電子、新能源、汽車制造等領(lǐng)域?qū)μ蓟璧男枨髮⒗^續(xù)保持高速增長。同時(shí)，5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興領(lǐng)域也將為碳化硅產(chǎn)業(yè)帶來巨大的發(fā)展機(jī)遇。和巍巍表示：“幾乎所有的大型半導(dǎo)體廠商都在積極投入資金，擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，從幾億美元到幾十億美元不等。這充分顯示了行業(yè)對碳化硅未來發(fā)展的樂觀態(tài)度?！背嗽陔妱悠囶I(lǐng)域的應(yīng)用外，碳化硅在工業(yè)電源、光伏儲能和軌道交通等領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用。例如，工業(yè)電源、服務(wù)器電源和5G基站電源等都大量使用碳化硅二極管。在光伏領(lǐng)域，碳化硅主要用于光伏逆變器中的Boost升壓和DC-AC逆變。此外，碳化硅二極管或碳化硅MOSFET在新能源車型中也得到了廣泛應(yīng)用。據(jù)統(tǒng)計(jì)，截至今年10月，國內(nèi)銷售的新能源汽車已超過700萬輛，預(yù)計(jì)到年底將達(dá)到900萬輛，滲透率達(dá)到33%。隨著新能源汽車的快速發(fā)展，電驅(qū)系統(tǒng)也出現(xiàn)了一些新的應(yīng)用趨勢，三合一電驅(qū)成為主流，同時(shí)800V系統(tǒng)也在快速發(fā)展中。碳化硅技術(shù)的發(fā)展趨勢及挑戰(zhàn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈涵蓋多個(gè)環(huán)節(jié)，從碳化硅高純粉末到碳化硅器件，碳化硅要經(jīng)過切、磨、拋、外延生長、光刻、刻蝕等多道工序，如果是開關(guān)器件還要驅(qū)動集成到設(shè)備里。碳化硅材料的單晶生長技術(shù)主要包括PVT（物理氣相輸運(yùn)法），HT-CVD（高溫化學(xué)氣相沉積法），LPG（液相生長法）等。其中，PVT是目前最常用的方法，是非常成熟的SiC材料單晶生長技術(shù)。和巍巍認(rèn)為，按生長技術(shù)的成熟度來排序，依次是PVT＞HT-CVD＞液相生長。外延設(shè)備主要技術(shù)路線有三種，分別是水平反應(yīng)室、行星式反應(yīng)室、頂噴垂直氣流反應(yīng)室。由于行星式生產(chǎn)效率更高，因此和巍巍推測該技術(shù)目前應(yīng)用最多。在碳化硅功率器件技術(shù)方面，雖然溝槽型一度被認(rèn)為是最優(yōu)選擇，但平面型碳化硅MOSFET已經(jīng)展現(xiàn)出極具競爭力的性能，特別是在高溫下提導(dǎo)通阻提升比例比溝槽要小，這就會讓平面型在高溫下優(yōu)勢更加明顯。和巍巍認(rèn)為，在未來很長一段時(shí)間還是平面型和溝槽型共存的狀態(tài)。碳化硅器件的高功率密度，高結(jié)溫特性，高頻特性要求現(xiàn)有封裝技術(shù)帶來更多的創(chuàng)新。和巍巍指出，在碳化硅模塊里，大概60%-70%都是芯片成本，所以封裝用更好的封裝材料、封裝技術(shù)把60%的芯片潛力充分發(fā)揮。目前碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)之一是改善和提高8寸大尺寸SiC晶片產(chǎn)量，因EV市場快速擴(kuò)張引起的n-4H-SiC晶片需求的增大，使得SiC制造需要改善和提高晶片產(chǎn)量方法，一些方法可使晶體引入應(yīng)力，并在下游制造中顯現(xiàn)出來（如外延后）。此外，還需聚焦晶體缺陷（TSD、BPD）降低與可視化檢測，以及降低4H-SiC晶片成本。此外，MOSFET器件也面臨降低成本和增加可靠性的挑戰(zhàn)。和巍巍指出，MOSFET器件要實(shí)現(xiàn)滿足市場需求的量產(chǎn)，需要大量資本投資，如與襯底廠商垂直整合，向200mm晶圓過渡，支撐指數(shù)式市場增長。關(guān)于降低成本方面，特斯拉今年提出要減少75%的碳化硅用料，基本半導(dǎo)體對此進(jìn)行了深入的分析，并認(rèn)為特斯拉可能會采取硅和碳化硅并聯(lián)的方案。通過在IGBT基礎(chǔ)上增加一小部分碳化硅，雖然成本增加了百分之五六十，但效率損耗卻減少了更多。另外一種方案是在全碳化硅MOSFET上替換為硅的IGBT，這樣成本會降低，損耗會相應(yīng)增加。但是，由于加入了IGBT，器件的抗短路能力會得到提高，從而提高了可靠性。和巍?。骸按_定硅和碳化硅的配比是一個(gè)關(guān)鍵的難點(diǎn)，因?yàn)樗鼈兙哂胁煌奶匦院捅Ｗo(hù)方式。為了解決這個(gè)問題，我們需要專業(yè)的驅(qū)動芯片來完成配比和保護(hù)，否則電路板上放置12個(gè)驅(qū)動芯片將會非常困難?！笨傊厮估岢龅臏p少碳化硅用料的方案需要進(jìn)一步的技術(shù)研發(fā)和定制驅(qū)動芯片的支持來實(shí)現(xiàn)。這將有助于提高電動汽車的性能和可靠性，并降低成本?；景雽?dǎo)體第二代MOSFET產(chǎn)品的性能參數(shù)已媲美國際知名品牌基本半導(dǎo)體是一家總部位于深圳的半導(dǎo)體公司，成立于2016年，擁有四百多名員工，其中超過一半是研發(fā)人員，產(chǎn)品線包括四個(gè)大類碳化硅器件（二極管、MOSFET）、車規(guī)級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動芯片及模塊，以及簡單的功率半導(dǎo)體測試設(shè)備。據(jù)介紹，其第二代MOSFET產(chǎn)品的性能參數(shù)已經(jīng)達(dá)到了國際知名品牌的同等水平。這些產(chǎn)品在光伏儲能充電樁等領(lǐng)域尚未大規(guī)模應(yīng)用，但已經(jīng)在電動汽車中得到了廣泛的應(yīng)用?；景雽?dǎo)體的模塊產(chǎn)品平臺包括管腳式PHD封裝和塑封DCM封裝，以及正在開發(fā)中的雙面散熱封裝和ED3。所有產(chǎn)品的開發(fā)流程都遵循嚴(yán)格的國際先進(jìn)開發(fā)流程。此外，該公司在深圳有一條6寸碳化硅產(chǎn)線，并在無錫有一條碳化硅封裝線，其中采用了許多新的技術(shù)，例如銀燒結(jié)。此外，基本半導(dǎo)體進(jìn)行了大量的測試工作，包括產(chǎn)線上的追溯和集成。例如，在Pcore6產(chǎn)品中，公司采用了低雜感AMB、超聲焊、碳化硅芯片雙面燒結(jié)等技術(shù)。公司的產(chǎn)業(yè)布局主要涉及兩個(gè)工廠，分別位于深圳光明區(qū)和無錫新吳區(qū)。在汽車領(lǐng)域，公司已經(jīng)獲得了近30個(gè)車型的定點(diǎn)，并且已經(jīng)與廣汽埃安展開了深入的合作。此外，上海和寧波的兩家客戶也即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。基本半導(dǎo)體是一家以高品質(zhì)碳化硅功率器件為核心業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體公司，致力于為工業(yè)和汽車等領(lǐng)域提供先進(jìn)的解決方案。
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