國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心和北京研究員，開源芯片中科海芯最近在北京設(shè)立RISC-V車規(guī)級半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，將圍繞國產(chǎn)車企芯片需求提升國產(chǎn)車規(guī)級芯片的研發(fā)效率、“上車”能力，國產(chǎn)汽車半導(dǎo)體自給率按下“加速鍵”鍵。

中國作為汽車制造大國，汽車產(chǎn)量繼續(xù)保持世界第一，對汽車芯片的需求旺盛，是國產(chǎn)新能源汽車特別是芯片的“大戶”。與消費(fèi)者芯片不同，汽車嘉賓芯片的信賴性、一貫性、穩(wěn)定性要求事項(xiàng)要面臨更加殘酷的環(huán)境才會更高。如果適應(yīng)-40-150極端溫度、高振動、多灰塵、電磁干擾、適應(yīng)0-100%濕度區(qū)間等，設(shè)計(jì)壽命一般在15年或20萬公里以上，對芯片質(zhì)量提出了更高的要求。

北京開源芯片研究院首席科學(xué)家包云崗對記者說：“ARM架構(gòu)在全球芯片領(lǐng)域長期占據(jù)主導(dǎo)地位。在汽車規(guī)格芯片領(lǐng)域，中外還存在很大差異，目前絕大多數(shù)國產(chǎn)汽車的cpu核心仍要依賴國外授權(quán)，面臨供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。他表示：“從開發(fā)、生產(chǎn)、驗(yàn)證、乘車到自主控制的國產(chǎn)汽車規(guī)格芯片，加快速度迫在眉睫。”

“RISC-V架構(gòu)是中國芯片可以自主控制的‘敲門磚’，有望為提高國產(chǎn)汽車芯片自給率提供更多的可能性。國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心主任原誠寅說，在這樣的背景下，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室應(yīng)運(yùn)而生。

根據(jù)計(jì)劃，RISC-V車規(guī)級芯片技術(shù)共同發(fā)揮實(shí)驗(yàn)室平臺和資源優(yōu)勢，在北京研究所開源芯片具有競爭力的，可信度高，自主可控的國產(chǎn)車規(guī)級IP核，由中科海芯負(fù)責(zé)將其做成產(chǎn)品，由國家在創(chuàng)造中心設(shè)計(jì)，開發(fā)，產(chǎn)品會形成推進(jìn)到。并通過驗(yàn)證、乘車規(guī)范化流程及相關(guān)工具，共同提高汽車個(gè)人級芯片的開發(fā)效率，不斷探索實(shí)現(xiàn)中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈自主可控。