NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。

NOR Flash是Intel于1988年首先開發(fā)出來(lái)的存儲(chǔ)技術(shù)，改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。

NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。

圖: NAND=NOT AND(與非門), NOR=NOT OR(或非門)

相同點(diǎn)

兩者都是非易失性存儲(chǔ)器，可以在斷電后保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

兩者都可以進(jìn)行擦寫和再編程。

兩者在寫之前都要先擦除，擦除是將所有位變?yōu)?，而寫操作只能使1變成0

不同點(diǎn)

NOR Flash和NAND Flash各有其優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景，設(shè)計(jì)者可以根據(jù)產(chǎn)品需求來(lái)進(jìn)行選擇，兩者的主要不同點(diǎn)如下：

接口

NOR Flash帶有通用的SRAM接口，可以輕松地掛接在CPU的地址、數(shù)據(jù)總線上，對(duì)CPU的接口要求低。

NAND Flash使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù)。

容量和成本

NOR Flash的容量較小，價(jià)格較高。

NAND Flash的生產(chǎn)過(guò)程更簡(jiǎn)單，容量更大，價(jià)格更低。

可靠性

NAND Flash中的壞塊是隨機(jī)分布的，需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。

Nor Flash上基本不存在壞塊問題。

壽命

NAND Flash中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次。

Nor Flash的擦寫次數(shù)是十萬(wàn)次。

讀寫擦除性能

NOR Flash的讀速度比NAND Flash快。

NAND Flash的寫入和擦除速度比NOR Flash快很多。

總的來(lái)說(shuō)，NOR 的優(yōu)勢(shì)在于隨機(jī)讀取與擦寫壽命，因此適合用來(lái)存儲(chǔ)代碼和關(guān)鍵數(shù)據(jù)；NAND 的優(yōu)勢(shì)在于單位比特成本，花同樣的錢可以獲得更大的容量。