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飛索半導(dǎo)體S29GL256S90DHI020存儲(chǔ)器的介紹、特性以及應(yīng)用電路圖

來(lái)源:飛索半導(dǎo)體| 發(fā)布日期:2023-11-20 15:18

S29GL256S90DHI020飛索半導(dǎo)體SPANSION生產(chǎn)的一款32位閃存存儲(chǔ)器。

特性

CMOS 3.0 V核心,帶多功能I/O

?65 nm鏡面? Eclipse技術(shù)

?用于讀取/編程/擦除的單電源(VCC)(2.7 V至3.6 V)

?多功能I/O功能

-寬I/O電壓范圍(VIO):1.65V至VCC

?×16數(shù)據(jù)總線

?異步32字節(jié)頁(yè)面讀取

?512字節(jié)編程緩沖區(qū)

-以頁(yè)面倍數(shù)編程,最大可達(dá)512字節(jié)

?同一單詞選項(xiàng)上的單個(gè)單詞和多個(gè)程序

?自動(dòng)錯(cuò)誤檢查和糾正(ECC)-內(nèi)部硬件ECC,帶單比特錯(cuò)誤糾正

?扇區(qū)擦除

-統(tǒng)一128千字節(jié)扇區(qū)

?暫停和恢復(fù)編程和擦除操作的命令

?用于確定設(shè)備狀態(tài)的狀態(tài)寄存器、數(shù)據(jù)輪詢和就緒/繁忙引腳方法

?高級(jí)扇區(qū)保護(hù)(ASP)

-每個(gè)扇區(qū)的易失性和非易失性保護(hù)方法

?具有兩個(gè)可鎖定區(qū)域的獨(dú)立1024字節(jié)一次性程序(OTP)陣列

?通用閃存接口(CFI)參數(shù)表

?溫度范圍/等級(jí)

-工業(yè)(-40°C至+85°C)

-工業(yè)+(-40°C至+105°C)

-汽車,AEC-Q100 3級(jí)(-40°C至+85°C)

-汽車,AEC-Q100 2級(jí)(-40°C至+105°C)

?100000次編程/擦除周期

?20年的數(shù)據(jù)保留期

飛索半導(dǎo)體S29GL256S90DHI020廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)控制等領(lǐng)域,主要用于存儲(chǔ)程序代碼、數(shù)據(jù)、配置信息等。其高速讀寫(xiě)、低功耗、可靠性高等特點(diǎn),使其成為嵌入式系統(tǒng)中常用的存儲(chǔ)器之一。

方框圖

封裝引腳