經歷漫長的下行周期之后，存儲芯片市場價格止跌，部分型號存儲芯片價格出現反彈。存儲芯片周期拐點何時到來？產業發展有何新趨勢？

11月8日，在深圳舉行的2024年存儲產業趨勢研討會上，集邦咨詢資深研究副總經理郭祚榮表示：“下游整體需求正在緩步復蘇，其中AI（人工智能）服務器等領域的需求增長領先，各個下游領域整體需求將緩步回升到正增長軌道。未來5年到10年，人工智能會漸漸滲透到我們每個人的生活之中，帶來巨大的存儲芯片需求。”

多名接受《證券日報》記者采訪的業內人士表示，縮小與海外原廠以及存儲模組頭部廠商的差距，加速技術突破、強化品牌建設是當前國內存儲模組廠商的重要命題。在市場疲軟期，我國兆易創新、瀾起科技、時創意等一批存儲企業緊跟前沿技術發展趨勢，積極進行研發創新，豐富產品線，有利于把握產業周期拐點帶來的機遇，實現進一步發展。

“過山車”行情之后春天即將到來

存儲芯片市場價格的反彈信號，讓行業人士看到“曙光”。在2024年存儲產業趨勢研討會上，集邦咨詢資深研究副總經理吳雅婷表示：“2023年，原廠產能策略步調一致，均以去庫存為目標。目前實際生產量已經低于需求，預計第四季度庫存去化將加速。展望明年，供需將逐步走向平衡，帶動價格緩步上漲。”

國家專精特新“小巨人”企業時創意董事長倪黃忠在接受《證券日報》記者采訪時表示：“近2年來，全球存儲芯片產業經歷了過山車行情，從2021年的缺貨，供不應求，到2022年的產能過剩，2023年第三季度開始出現反轉信號，存儲芯片春天即將到來。”

進入第四季度，多個型號的存儲芯片呈現漲價之勢。根據集邦咨詢最新研究數據，今年第四季Mobile DRAM（移動動態隨機存取存儲器）合約價季漲幅預估將擴大至13%至18%。NAND Flash（閃存存儲器）方面，eMMC（嵌入式多媒體存儲芯片）、UFS（通用閃存存儲芯片）第四季合約價漲幅約10%至15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現均較其他DRAM（動態隨機存取存儲器）產品低，因此成為本次的領漲項目。

存儲賽道上市公司對周期的研判也備受關注。存儲芯片頭部企業兆易創新加大去庫存的力度，近幾個季度以來存貨呈逐步下降的趨勢。

近日，兆易創新在接受機構調研時表示：“大存儲在今年第三季度已經達到了價格的底部區間。在今年三季度末大存儲出現一些價格反彈，此反彈對利基存儲有一定的帶動效應，利基存儲價格也在筑底并有微弱反彈。明年大存儲的價格有望延續反彈的走勢，但也不太會出現暴漲暴跌的情況；利基型DRAM也會隨著大存儲反彈的走勢，延續微弱反彈的趨勢。具體供需關系還要看明年需求的恢復情況以及主流廠商減產的持續時間。”

設計封裝技術升級成發展趨勢

今年以來，人工智能浪潮席卷全球，催生新的市場需求的同時，對硬件設計、封裝制造等也提出了更高要求，存儲賽道企業面臨重新洗牌。

郭祚榮向《證券日報》記者表示：“原本主要由手機芯片占據先進工藝產線，將因人工智能芯片需求的崛起而發生變化，自研芯片或將向ASIC（專用集成電路）方向發展，我們每個人的生活也將因人工智能芯片逐步導入市場而發生巨大的變革。”

近一年來，時創意實現核心技術工藝突破，公司推出第二代Flip Chip先進封裝工藝，實現能耗更低、成本更低、穩定性更高。公司積極布局UFS，目前已擁有UFS升級產線，自研自造的512GB UFS3.1產品在國內率先實現量產。

倪黃忠向《證券日報》記者表示：“公司進入存儲芯片產業十年，在行業里還是較為年輕的公司，公司不斷從技術產品創新、企業智能應用、人才資源匯聚三個維度修煉內功，今年以來研發投入力度加大，人才方面增加了100多名工程師，未來公司將在NAND Flash和DRAM領域繼續研發創新，推動行業向前發展。”

今年以來，在行業低谷期，時創意快速完成了A、B兩輪戰略融資。5月份完成2.8億元戰略A輪融資，近日又宣布完成超3.4億元B輪融資，此輪融資由國內消費電子領域頭部企業領投，資金將用于技術研發，擴產與流動資金補充等。

兆易創新前瞻性地識別高潛力產品方向，戰略性建立先發優勢。持續完善產品線，升級產品結構。過去幾年兆易創新DRAM業務處于從無到有開展技術研發的過程，經過努力DDR4實現量產。兆易創新方面表示：“DDR3在2023年基本完成功能驗證和客戶導入的工作，目前處于良率提升和起量爬坡階段，有望在2024年為公司貢獻更多營收。公司也在積極開展8GbDDR4等其他利基型DRAM產品研發，希望補齊整個標準接口利基型DRAM產品線，有效支撐公司DRAM業務發展，滿足客戶需求。”

深科技近日在接受機構調研時表示：“bumping和FC工藝是進一步發展先進封裝的必要條件，目前公司bumping產線已經完成工藝技術的準備以及生產管理系統的完善，并且產品良率已達到可以量產的水準。”