10月27日消息，在第三季度財報電話會議上，SK海力士的一位領導者表示：“我們已經(jīng)在2023年出售了明年HBM3和HBM3E的所有產(chǎn)量。”

此外，其還表示正在與客戶就2025年的產(chǎn)能進行談判。

HBM類似數(shù)據(jù)的“中轉站”，就是將每一幀、每一幅圖像數(shù)據(jù)保存到幀緩存區(qū)域中，等候GPU調(diào)用。

相比傳統(tǒng)內(nèi)存技術，HBM帶寬更高、功率更低、功耗更低、尺寸更小，能夠使AI服務器的傳輸速率和數(shù)據(jù)處理量大幅提升，因此HBM也成了AI服務器的標配。

正如臺積電壟斷了先進封裝一般，HBM的供應也被SK海力士壟斷，市占率超過95%，也是目前唯一能量產(chǎn)HBM3E的廠商。

HBM3E作為HBM3的升級版本，預計將為英偉達明年即將量產(chǎn)的GH200提供強大支持。

此外SK海力士還預計，即使HBM3E的需求強勁，也不會對現(xiàn)有HBM3產(chǎn)品的平均售價造成影響。

主要是因為對DRAM的需求預計將從2024年開始恢復，而對HBM3的需求仍然強勁。

因此SK海力士計劃在2024年增加投資以應對不斷擴大的需求，還計劃以HBM為中心不斷提升其產(chǎn)能。

根據(jù)媒體報道，SK海力士今年三季度的營業(yè)虧損環(huán)比下降了1萬億韓元（約合54.2億元人民幣），而這主要就得益于其DRAN業(yè)務的利潤。