4008-622-911
參數+工作原理+引腳配置，一文搞懂德州儀器MSP430F系列微控制器
TI德州儀器 MSP430? 系列超低功耗微控制器種類繁多，各成員器件配備不同的外設集以滿足各類應用的需求。此架構，與 5 種低功耗模式配合使用，是在便攜式測量應用中實現延長電池壽命的最優選擇。該器件具有一個強大的 16 位 RISC CPU，使用16 位寄存器，以及常數發生器，以便于獲得最大編碼效率。該數控振蕩器 (DCO) 可在 3μs（典型值）內從低功率模式喚醒至激活模式。
MSP430F563x 器件為配有以下外設的微控制器：一個高性能 12 位 ADC、一個比較器、兩個 USCI、USB 2.0、一個硬件乘法器、DMA、四個 16 位定時器、一個具有報警功能的 RTC 模塊以及多達 74 個 I/O 引腳。
特性
低電源電壓范圍：1.8V 至 3.6V
超低功耗
激活模式 (AM)： 所有系統時鐘激活： 8MHz 時為 270μA/MHz、3.0V、閃存程序執行（典型值）
待機模式 (LPM3)： 含晶體的看門狗和電源監控器可用、完全 RAM 保持、快速喚醒： 2.2V 時為 1.8μA、3.0V 時為 2.1μA（典型值）
關斷實時時鐘 (RTC) 模式 (LPM3.5)： 關斷模式，含晶體的有源 RTC： 3.0V 時為 1.1μA（典型值）
關斷模式 (LPM4.5)： 3.0V 時為 0.3μA（典型值）
在 3μs（典型值）內從待機模式喚醒
16 位 RISC 架構，擴展存儲器，高達 20MHz 的系統時鐘
靈活的電源管理系統
具有可編程穩壓內核電源電壓的完全集成 LDO
電源電壓監控、監視和欠壓保護
單一時鐘系統
針對頻率穩定的鎖相環 (FLL) 控制環路
低功耗低頻內部時鐘源 (VLO)
低頻修整內部基準源 (REFO)
32kHz 晶振 (XT1)
高達 32MHz 的高頻晶振 (XT2)
四個 16 位計時器，分別配有 3、5 或 7 個捕捉/比較寄存器
兩個通用串行通信接口 (USCI)
I2C
同步串行外設接口 (SPI)
增強型通用異步收發器 (UART) 支持自動波特率檢測
紅外數據通訊 (IrDA) 編碼器和解碼器
同步 SPI
USCI_A0 和 USCI_A1 均支持：
USCI_B0 和 USCI_B1 均支持：
全速通用串行總線 (USB)
集成的 USB - PHY
集成 3.3V 和 1.8V USB 電源系統
集成 USB 鎖相環 (PLL)
八輸入和八輸出端點
具有內部共用基準、采樣保持和自動掃描功能的 12 位模數轉換器 (ADC)
具有同步功能的雙 12 位數模轉換器 (DAC)
電壓比較器
硬件乘法器支持 32 位運算
串行板載編程，無需外部編程電壓，
6 通道內部 DMA
具有電源電壓備用開關的 RTC 模塊
器件比較匯總了可用的產品系列成員
應用
模擬和數字傳感器系統
數字電機控制
遙控
恒溫器
數字計時器
手持式儀表
參數
MSP430F5638、MSP430F5637 和 MSP430F5636 器件的功能框圖
MSP430F5635、MSP430F5634 和 MSP430F5633 器件的功能框圖
MSP430F5632、MSP430F5631 和 MSP430F5630 器件的功能框圖
封裝
推薦產品+
相關推薦
-
-
韓國要求美國放寬其在華芯片擴產限制，韓國要求這一上限提高至10%
美國總統拜登簽署的《芯片和科學法案》(下稱“芯片法案”)，擬為該國半導體產業提供近530億美元的補貼，但其中細節卻讓一些國家處境尷尬，其中就包括韓國。 據韓聯社、路透社當地時間5月24日報道，美國政府《聯邦公報》的一份公開文件顯示，因擔心相關規定限制韓國企業對中國等國家在芯片領域的投資，會對韓企產生不利影響，韓國已要求美國重新評估其新的半導體補貼標準，以突破美國對韓國半導體制造商在中國擴大生產的限制。 今年3月，美國商務部在527億美元的芯片補貼流程中，增加了所謂“國家安全護欄條款”(national security guardrails)，限制獲補貼芯片廠在包括中國等“受關注國家”(foreign countries of concern)增產和科研合作。 路透社稱，根據這一“護欄條款”，韓國在中國等“受關注國家”不得建設超過其產能5%的新設施;而韓聯社則稱，韓國已要求美國將這一上限提高至10%。對此，韓國產業通商資源部拒絕置評。 作為韓國企業，全球最大的兩家存儲芯片制造商三星(Samsung)和SK海力士(SK Hynix)，在中國市場深耕多年，此前已在中國投資數十億美元建廠。同時，三星也正在美國得克薩斯州建設一座芯片工廠，耗資可能超過250億美元。 據報道，韓國方面認為，所謂“護欄條款”的實施，不應該給在美投資的韓國企業帶來不合理的負擔。同時，韓國要求美國政府審查擬議規則中，對“材料擴張”、“傳統半導體”和其他關鍵術語的現行定義。 韓國政府還要求美方，“進一步明確‘技術補償’限制活動的范圍”，文件稱：“韓國將就如何解決這些重要問題向美國政府提交更詳細的意見。”文件還稱：“韓國要求美國政府在最終確定‘護欄條款’的詳細規則時，積極考慮韓國的意見。” 路透社稱，根據一份文件顯示，三星電子方面在對此事評論時指出，希望確保在美國的芯片業投資“不會受到不當和無意的限制”。SK海力士也發表了評論，但公開文件沒有公布具體細節。 去年8月，美國總統拜登簽署了“芯片法案”，為美國的半導體生產和研究提供527億美元的補貼，并要求任何接受美方補貼的公司必須在美國本土制造芯片。該法案一經推出也引發了美國亞洲盟友擔憂。例如韓國智庫曾警告稱，美國此舉將導致包括韓企在內的全球工廠流回美國，無疑給韓國制造業帶來嚴重沖擊。韓媒稱，韓國制造業流向美國將引發韓國國內“制造業空洞”的憂慮，“情況非常令人擔憂”。 今年3月8日至10日，韓國產業通商資源部通商交涉本部長安德根前往美國華盛頓訪問，與美方就韓美經貿事宜進行討論。 在出發前，安德根就表示，“芯片法案”所規定的補貼條件中存在不符合全球標準的部分，這將成為穩定供應鏈運營的障礙，韓方將同美方一道摸索解決方案。安德根透露，包括“芯片法案”相關問題在內，他會同美方就多項貿易問題進行磋商。 此前，中國外交部發言人汪文斌曾就美國出臺“芯片法案”指出，美方所謂“護欄”是徹頭徹尾的科技封鎖和保護主義行徑，美國為了維護自身的霸權，不斷泛化國家安全概念，濫用出口管制措施，甚至不惜犧牲盟友利益，脅迫一些國家圍堵遏制中國，人為推動產業鏈“脫鉤斷鏈”，嚴重違反市場經濟規律和公平競爭原則，嚴重阻礙世界經濟復蘇和發展。我們對此堅決反對，已多次向美方提出嚴正交涉。中方將繼續堅定維護中國企業的正當合法權益。 汪文斌強調，遏制打壓阻擋不了中國發展的步伐，只會增強中國實現高水平科技自立自強的決心和能力。為維護一己霸權之私，綁架國際正常經貿合作，終將作繭自縛。我們希望各方從自身長遠利益和公平公正市場原則出發，恪守國際經貿規則，同中方共同維護全球產業鏈供應鏈穩定，維護各方共同利益。
-
-
如何區分PNP型和NPN型三極管？
PNP型和NPN型三極管區分方法大揭秘！在電子元器件中，三極管是一種重要的元件，常用于放大和開關電路中。而在三極管中，PNP型和NPN型是兩種常見的類型。那么，如何準確地區分它們呢？首先，我們可以通過外觀來區分PNP型和NPN型三極管。PNP型三極管的標識是以字母"P"開頭的，而NPN型三極管則是以字母"N"開頭的。通過仔細觀察元件上的標識，我們就能輕松辨別它們的類型。其次，我們可以通過引腳的布局來區分PNP型和NPN型三極管。PNP型三極管的引腳布局為：發射極（E）在中間，基極（B）在左側，集電極（C）在右側。而NPN型三極管的引腳布局則相反，即：發射極（E）在中間，基極（B）在右側，集電極（C）在左側。通過觀察引腳的位置，我們可以輕松判斷出三極管的類型。此外，我們還可以通過數據手冊來區分PNP型和NPN型三極管。在數據手冊中，會詳細列出三極管的參數和性能指標。我們可以通過查閱數據手冊，對比參數來判斷三極管的類型。結尾：通過以上幾種方法，我們可以輕松準確地區分PNP型和NPN型三極管。無論是通過外觀、引腳布局，還是通過數據手冊，我們都能找到正確的答案。對于電子工程師和愛好者來說，準確區分三極管的類型是非常重要的，因為它直接影響到電路的設計和性能。希望本文能對大家有所幫助，更好地理解和應用三極管！
哦! 它是空的。